Гранты РФФИ

  1. 12-07-31100 мол_а Исследование механизмов рассеяния электронов в гетероструктурах с составными квантовыми ямами InyGa1-yAs (y=0,2-0,7) с несколькими гетеровставками InAs и GaAs (руководитель Е.А. Климов, сроки выполнения 2012-2013 гг.)
  2. 14-07-31108 мол_а Исследование электронного транспорта в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/(Al)GaAs с композитным спейсерным слоем, содержащим наноразмерные барьеры AlAs (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2014-2015 гг.)
  3. 15-07-00110 А Исследование влияния зонного профиля гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/InAs/InGaAs на дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2015-2016 гг.)
  4. 16-32-00552 мол_а Исследование электрофизических и кристаллографических свойств гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов (руководитель Н.А. Юзеева, сроки выполнения 2016 г.)
  5. 16-07-00187 А Исследование процессов генерации и детектирования терагерцового излучения в “низкотемпературных” метаморфных структурах с большим числом центров рассеяния (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  6. 16-29-03033 офи_м Исследование и разработка новых конструкций наногетероструктур для плазмонных InP HEMT терагерцового диапазона частот (руководитель В.И. Рыжий, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  7. 16-29-03294 Эпитаксиальные низкотемпературные наногетероструктуры InGaAs и InGaAs/InAlAs со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда для фотопроводящих антенн (руководитель Г.Б. Галиев, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  8. 17-32-80009 мол_эв_а Терагерцовый фотомиксер на основе InGaAs/InAlAs гетероструктур с искусственно созданными локальными деформациями для уменьшения времени жизни фотовозбужденных носителей (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
  9. 17-02-00070 А Разработка и исследование новых схем работы терагерцовых квантово-каскадных лазеров на базе GaAs/AlGaAs наногетероструктур c диагональными излучательными переходами (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)

Гранты Президента РФ

  1. Разработка терагерцового квантово-каскадного лазера с длиной волны 100 мкм (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  2. Исследование процессов формирования и электронных свойств квазиодномерных полупроводниковых наноструктур на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2017-2018 гг.)