Гранты Президента РФ

  1. Разработка терагерцового квантово-каскадного лазера с длиной волны 100 мкм (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  2. Исследование процессов формирования и электронных свойств квазиодномерных полупроводниковых наноструктур на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
  3. Упругие напряжения в фотопроводящих структурах на основе InGaAs с нановставками InAs для создания высокоэффективных источников терагерцового излучения (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения: 2018-2019 гг.)

Гранты РФФИ

  1. 12-07-31100 мол_а Исследование механизмов рассеяния электронов в гетероструктурах с составными квантовыми ямами InyGa1-yAs (y=0,2-0,7) с несколькими гетеровставками InAs и GaAs (руководитель Е.А. Климов, сроки выполнения 2012-2013 гг.)
  2. 14-07-31108 мол_а Исследование электронного транспорта в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/(Al)GaAs с композитным спейсерным слоем, содержащим наноразмерные барьеры AlAs (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2014-2015 гг.)
  3. 15-07-00110 А Исследование влияния зонного профиля гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/InAs/InGaAs на дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2015-2016 гг.)
  4. 16-32-00552 мол_а Исследование электрофизических и кристаллографических свойств гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов (руководитель Н.А. Юзеева, сроки выполнения 2016 г.)
  5. 16-07-00187 А Исследование процессов генерации и детектирования терагерцового излучения в “низкотемпературных” метаморфных структурах с большим числом центров рассеяния (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  6. 16-29-03033 офи_м Исследование и разработка новых конструкций наногетероструктур для плазмонных InP HEMT терагерцового диапазона частот (руководитель В.И. Рыжий, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  7. 16-29-03294 Эпитаксиальные низкотемпературные наногетероструктуры InGaAs и InGaAs/InAlAs со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда для фотопроводящих антенн (руководитель Г.Б. Галиев, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
  8. 17-32-80009 мол_эв_а Терагерцовый фотомиксер на основе InGaAs/InAlAs гетероструктур с искусственно созданными локальными деформациями для уменьшения времени жизни фотовозбужденных носителей (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
  9. 17-02-00070 А Разработка и исследование новых схем работы терагерцовых квантово-каскадных лазеров на базе GaAs/AlGaAs наногетероструктур c диагональными излучательными переходами (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
  10. 18-07-01426 A Исследование процессов низкоэнергетичного травления барьерных слоев гетеропары AlGaN/GaN в хлорсодержащей среде с источником индуктивно-связанной плазмы (руководитель А.Ю. Павлов, сроки выполнения 2018-2019 гг.)
  11. 18-07-01145 A Терагерцевый детектор на основе структур с нанонитями из атомов олова с квазиодномерным электронным транспортом (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2018-2019 гг.)
  12. 18-32-00157 мол_а Исследование влияния дефектов различного типа на рекомбинацию фотовозбуждённых носителей заряда в гетероструктурах с метаморфным буфером InAlAs (руководитель С.С. Пушкарев, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)
  13. 18-32-20207 мол_а_вед Полупроводниковые наноструктуры со встроенными продольными электрическими полями для генерации терагерцевого излучения под действием фемтосекундной лазерной накачки (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)
  14. 19-07-00683 А Исследование потерь пропускания в поликристаллическом CVD-алмазе в миллиметровом диапазоне длин волн для систем связи 5G (руководитель П.П. Мальцев, сроки выполнения 2019 – 2021 гг.)
  15. 19-29-03003 мк Исследование влияния физико-химического воздействия на воспроизводимость основных электрических параметров мемристорных структур. (руководитель А. Н. Алёшин, сроки выполнения 2019-2021 гг.)