ИСВЧПЭ РАН
  • Новости
  • Институт
    • ТГц семинар
      • Архив семинаров
    • Ученый совет
    • Подразделения
    • Научные сотрудники
    • Совет молодых ученых
    • Аспирантура
    • О нас пишут
    • Международное сотрудничество
    • Монографии
    • Лаборатории
    • Оборудование
    • Документы
    • Объявления
  • Достижения/ Разработки
    • Научные гранты
    • Работы по заказу Минобрнауки России
    • Разработки
    • Технологическая платформа «СВЧ технологии»
    • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Контакты
  • Новости
  • Институт
    • - ТГц семинар
      • - - Архив семинаров
    • - Ученый совет
    • - Подразделения
    • - Научные сотрудники
    • - Совет молодых ученых
    • - Аспирантура
    • - О нас пишут
    • - Международное сотрудничество
    • - Монографии
    • - Лаборатории
    • - Оборудование
    • - Документы
    • - Объявления
  • Достижения/ Разработки
    • - Научные гранты
    • - Работы по заказу Минобрнауки России
    • - Разработки
    • - Технологическая платформа «СВЧ технологии»
    • - Результаты интеллектуальной деятельности
  • Контакты
Главная / Документы

Документы

  • Устав ИСВЧПЭ РАН, утвержденный приказом ФАНО России от 12.12.2014 г. №1280
  • Изменение в Устав ИСВЧПЭ РАН, утвержденные приказом ФАНО России от 09.02.2014 г. №49

Контакты

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

Адрес: 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр.5

Email: mail@isvch.ru

Контакты:
8 (495) 280-75-48 Гамкрелидзе С.А. (Директор)
8 (499) 123-14-20 Мальцев П.П. (Научный руководитель)
8 (499) 123-44-64 Пономарев Д.С. (Заместитель директора по науке)
8 (495) 280-74-79 Гражуль К.И. (Заместитель директора по общим вопросам)
8 (499) 123-44-64 (тел./факс общий) Хабибуллин Р.А. (Ученый секретарь)

8 495 280-74-79 Отдел кадров
8 499 127-33-48 Бухгалтерия
8 495 280-74-79 Отдел закупок

 

© ИСВЧПЭ РАН,  2013-2017