Впервые в России изготовлены квантово-каскадные лазеры терагерцового диапазона частот (ТГц ККЛ)

В период с 2015 по 2017 гг. в рамках предпринятого в инициативном порядке сотрудничества между Санкт-Петербургским национальным исследовательским Академическим университетом РАН (СПбАУ РАН), Институтом сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) и Институтом физики микроструктур РАН (ИФМ РАН) были впервые в России изготовлены квантово-каскадные лазеры терагерцового диапазона частот (ТГц ККЛ). В СПбАУ РАН были выращены многослойные GaAs/AlGaAs гетероструктуры для ТГц ККЛ [1]. В ИСВЧПЭ РАН разработана технология постростовой обработки гетероструктур для создания двойного металлического волновода [2]. Исследования вольт-амперных и излучательных характеристик изготовленных ТГц ККЛ, проведенные в ИФМ РАН, подтверждают стимулированный характер излучения в исследуемых приборах [3].
Таким образом, впервые продемонстрированы полностью изготовленные в России квантово-каскадные лазеры ТГц диапазона. В настоящее время продолжаются исследования, направленные на оптимизацию технологии ТГц ККЛ

 

1. А.Е. Жуков и др. ФТП, 50(5), 674 (2016).
2. Р.А. Хабибуллин и др. ФТП, 50(10), 1395 (2016)
3. А.В. Иконников и др. ПЖТФ, 43(7), 86 (2017)

Р.А. Хабибуллин, принял участие в общественном обсуждении, приуроченном к десятилетнему юбилею журнала «Фотоника»

Ученый секретарь ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин, принял участие в общественном обсуждении в рамках Круглого стола «Фотоника: от фундаментальной науки к практическим приложениям» приуроченном к десятилетнему юбилею журнала «Фотоника»

7 апреля 2017 состоится совместное заседание Координационного совета ЭКБ

7 апреля 2017 г. в 14:00 в АО «Рособоронэкспорт» состоится совместное заседание Координационного совета электронной компонентной базы и продукции машиностроения и секции № 4 МРГ по ЭКБ . В заседании примет участие директор ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор Гамкрелидзе Сергей Анатольевич

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в XXI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника»

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в XXI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника».
Ученый секретарь ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин выступил с приглашенным докладом «Разработка и изготовление источников терагерцового излучения на основе многослойных GaAs/AlGaAs гетероструктур» на Секции Полупроводниковые наноструктуры.
Научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. А.Э. Ячменев принял участие в Стендовой секции с докладом «Влияние фотоэффекта Дембера на генерацию ТГц излучения в InxGa1-xAs (x0.3) с метаморфным буферным слоем».