Научно-технический семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G»

27.04.17 г. заместитель председателя наблюдательного совета Технологической платформы «СВЧ технологии», директор ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор Гамкрелидзе С.А. провел научно-технический семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G». Семинар состоялся в рамках 20-й Международной выставки электронных компонентов, модулей и комплектующих Expo Electronica и 15-й Международной выставке технологий, оборудования и материалов для производства изделий электронной и электротехнической промышленности ElectronTechExpo

Скачать программу семинара

Состоялся научно-технический семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G»

27 апреля 2017 г. заместитель председателя наблюдательного совета Технологической платформы «СВЧ технологии», директор ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор Гамкрелидзе С.А. провел научно-технический семинар «Электронная компонентная база для нового поколения сотовой связи 5G». (ссылка на программу семинара из приложения)

Семинар состоялся в рамках 20-й Международной выставки электронных компонентов, модулей и комплектующих Expo Electronica и 15-й Международной выставке технологий, оборудования и материалов для производства изделий электронной и электротехнической промышленности ElectronTechExpo

Скачать программу семинара

Объявлен конкурс ФЦП развитие НТК 2014-2020 гг.

Объявлен конкурсный отбор проектов на предоставление субсидий в целях реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы» Мероприятие 1.3, 3 очередь                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                       ‌ Скачать файл

ИСВЧПЭ РАН отметил 15-летие со дня создания!

18 апреля 2017 года состоялось торжественное собрание трудового коллектива ИСВЧПЭ РАН, посвященное 15-летию со дня создания института!

Почетные грамоты и благодарственные письма были вручены работникам ИСВЧПЭ РАН от ФАНО России, Президиума РАН, Профсоюза работников РАН, Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова, Совета молодых ученых РАН

 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) был создан Постановлением Президиума РАН № 109 от 16 апреля 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны – Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела. C января 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций.
30 лет назад В.Г. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. В данном научном коллективе с 1983 г. по сей день трудится заведующий лабораторией, д.ф.-м.н. Г.Б. Галиев. В 2002 году Институт стал самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В.Г. Мокеров возглавлял в 2002-2008 годах. В 2008-2009 гг. Институт возглавлял д.ф.-м.н. Ю.А. Матвеев, с 2010 по 2016 гг. директором Института был Заслуженный деятель науки Российской Федерации, д.т.н., профессор П.П. Мальцев, а с 2016 г. по н.в. директором является д.т.н., профессор С.А. Гамкрелидзе.

Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники, в том числе по следующим направлениям:

  • технология и физика квантоворазмерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200 – 250 ГГц и выше;
  • разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями с диапазоном частот до 50 – 250 ГГц и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т.д.;
  • микро- и нанотехнологии формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
  • разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ и КВЧ электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.

Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора – заместителя директора по НИОКР Ю.В. Федорова.

В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем», руководит им член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России.

Свое 15-летие со дня основания коллектив ИСВЧПЭ РАН встречает с оптимизмом, активно осваивая новые рубежи СВЧ электроники!

Почетная грамота ФАНО Скачать файл