Авторам и подписчикам журнала «Нано-и микросистемная техника»

Уважаемые аспиранты!

Приглашаем Вас публиковать статьи в журнале «Нано-и микросистемная техника».
Статьи публикуются через три месяца после поступления в редакцию и получения положительной рецензии редколлегии.

Главный редактор  П. Мальцев

Авторам и подписчикам НМСТ (.docx)

Участие в VIII Всероссийской конференции по атмосферному электричеству

С 23 по 27 сентября 2019 г. в г. Нальчик,  в ФГБУ «Высокогорный геофизический институт»  состоялась VIII Всероссийская конференция по атмосферному электричеству с международным участием, в которой с докладом на тему «Квантовые преобразования энергии атмосферы» выступил ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН А.А. Ганжа. Материал доклада (статья) вошел в сборник трудов конференции и будет опубликован в журнале, который входит в перечень ВАК.

Участие в Международной конференция «Saratov Fall Meeting – 2019»

С 24 сентября по 27 сентября 2019 г. в г. Саратов, в Саратовском  национальном  исследовательском государственном университете  имени Н. Г. Чернышевского состоялась  Международная конференция  «Saratov Fall Meeting — 2019, секция  Advanced Materials for Optics and Biophotonics и   Terahertz Optics and Bio photonics»,  в которой приняли участие  сотрудники ИСВЧПЭ РАН с докладами. Лаврухин Д.В. с докладом  «Strain-induced superlattices ingaas/inalas for terahertz applications»,  Хабибуллин Р.А. с докладом  «Thz quantum cascade lasers based on novel designs and materials»,  Пономарев Д.С. с докладом « Light confinement in photoconductive antennas featuring plasmonic and dielectric structures»,  Глинский И.А. с докладом  « Sub-wavelength focusing of a fs-laser beam using dielectric particles».

Сотрудникам ИСВЧПЭ РАН выданы сертификаты Национального проекта «Наука»

Сотрудникам ИСВЧПЭ РАН Пономареву Д.С. и Хабибуллину Р.А. выданы сертификаты Национального проекта «Наука» о том, что они прошли конкурсный отбор на участие в Программе «Лидеры научно-технического прорыва», реализуемой Московской школой управления СКОЛКОВО в рамках проекта «Совершенствование кадрового потенциала руководящего состава научных и образовательных организаций высшего образования, подведомственных Минобрнауки России, в целях обеспечения глобальной конкурентоспособности»

17-я международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям

16-18 октября 2019 в Москве, в Экспоцентре состоится 17-я международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям.
Подробнее

Для  открытия  чат-бота  выставки CHIPEXPO-2019  нужно скачать и установить  на компьютер программу  Telegram Desktop   (tsetup.1.8.8.exe).
Ссылка для скачивания

ИСВЧПЭ РАН награжден дипломом в номинации «100 лучших изобретений России-2018»

Инновация ученых Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) вошла в ТОП-100 Роспатента по итогам 2018 года. Выдающимся признано создание детектора терагерцевого излучения на нанонитях олова на подложке арсенида галлия. В номинации «100 лучших изобретений России-2018» награжден дипломом патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Авторы: Бугаев Александр Сергеевич, Ячменев Александр Эдуардович, Пономарев Дмитрий Сергеевич, Хабибуллин Рустам Анварович, Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, Мальцев Петр Павлович за разработку «Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова»
(патент Российской Федерации № 2650576)

Диплом (.pdf)
Роспатент (93 позиция)
Патент (.pdf)

Свидетельство об участии в юбилейной 10-й международной научно-практической конференции «Мокеровские чтения»

Организационным комитетом 10-й международной научно-практической конференции «Мокеровские чтения» выдано свидетельство заместителю директора по научной работе ФГАНУ ИСВЧПЭ имени В.Г. Мокерова РАН Пономареву Дмитрию Сергеевичу, в котором удостоверяется его участие в работе конференции с докладом «Генерация излучения терагерцевыми антеннами с высоко-аспектными плазмонными решетками»

Свидетельство (.pdf)

Заседание Научно-технического совета технологической платформы «СВЧ технологии»

18.07.2019 г.  в  г. Фрязино Московской обл. состоялось заседание Научно-технического совета технологической платформы «СВЧ технологии», на котором со вступительным словом и заключительным словом, выступил директор  ИСВЧПЭ РАН, д-р техн. наук, проф., председатель  НТС технологической платформы «СВЧ технологии»  Сергей  Анатольевич Гамкрелидзе. Повестка заседания (.docx)

Участие в Международном симпозиуме «8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies & GDR-I FIR-LAB Workshop»

С 8 по 11 июля 2019 г. в Нижнем Новгороде прошел международный симпозиум «8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies & GDR-I FIR-LAB Workshop», в котором приняли участие с пленарным, приглашенным и стендовым докладами главный научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий, заместитель директора ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н., доцент Д.С. Пономарев и старший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.т.н. Щаврук Н.В