Рекомендации координатора технологической платформы «СВЧ технологии» участникам технологической платформы

Координатор технологической платформы «СВЧ технологии» дал рекомендацию ее участникам активно взаимодействовать с инновационными территориальными кластерами – победителями конкурсного отбора, а предложения по возможному взаимодействию направлять в управляющие компании кластеров

Скачать (.docx)

3ащита квалификационных работ

Защита квалификационных работ слушателей второго выпуска по программе профессиональной переподготовки «Фотоника и радиофотоника в радиоэлектронных системах сверхвысокочастотного диапазона»

Скачать (.docx)

70-летие главного научного сотрудника лаборатории ИСВЧПЭ РАН, члена-корреспондента РАН, В.И. Рыжего

В связи с 70-летием главного научного сотрудника лаборатории ИСВЧПЭ РАН, члена-корреспондента РАН, В.И. Рыжего, выпущена монография под его редакцией «NANOHETEROSTRUCTURES IN TERAHERTZ ELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS»

Скачать аннотацию (.pdf)

Фонд президентских грантов

Фонд президентских грантов начал прием заявок, в том числе и от технологической платформы «СВЧ технологии», на участие во втором конкурсе на предоставление грантов некоммерческим неправительственным организациям, проводимом по распоряжению Президента Российской Федерации от 3 апреля 2017 г. № 93-рп

Скачать (.docx)

Приглашение на конференцию «Пульсар — 2017»

Оргкомитет XV Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника и сложные функциональные блоки РЭА» (Пульсар-2017) приглашает принять участие в конференции, которая состоится 27-29 сентября в г. Москве-Дубне.

Подробности проведения конференции Пульсар-2017, а также условия участия — см. в файлах ниже и на сайте www.pulsarnpp.ru

Приглашение
Письмо-рассылка

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН осваивают новые технологии в области 3D-моделирования и 3D-печати

Инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН Щеглова Татьяна Алексеевна в феврале- апреле 2017 г. прошла повышение квалификации в ГАОУ ДПО Центре «Профессионал» по программе 3D-моделирование и основы 3D-печати и за время обучения успешно сдала экзамены и зачеты по основным дисциплинам программы. По окончании ей выдано удостоверение о повышении квалификации № 12369 от 17.04.2017

Cимпозиум Nanostructures: Physics and Technology

Сотрудники института приняли участие в 25-м международном симпозиуме Nanostructures: Physics and Technology, проводившемся в период с 26 по 30 июня в Санкт-Петербурге.

Член-корреспондент РАН Виктор Иванович Рыжий выступил с приглашенным устным докладом «Graphene-based heterostructures: device concepts and prospects».

Сотрудники лаб. 101 Галиев Г.Б. и Клочков А.Н. представили доклады по физике и технологии низкотемпературных материалов GaAs и InGaAs для терагерцевых фотопроводящих антенн.

Участие научного руководителя ИСВЧПЭ РАН П.П. Мальцева в заседании ВАК при Министерстве образования и науки РФ

15.06.2017 Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН П.П. Мальцев принял участие в заседании Высшей аттестационной комиссии при Министерстве образования и науки Российской Федерации.

Повестка заседания