Приглашение на конференцию «Пульсар — 2017»

Оргкомитет XV Всероссийской научно-технической конференции «Твердотельная электроника и сложные функциональные блоки РЭА» (Пульсар-2017) приглашает принять участие в конференции, которая состоится 27-29 сентября в г. Москве-Дубне. Подробности проведения конференции Пульсар-2017, а также условия участия — см. в файлах ниже и на сайте www.pulsarnpp.ru Приглашение Письмо-рассылка

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН осваивают новые технологии в области 3D-моделирования и 3D-печати

Инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН Щеглова Татьяна Алексеевна в феврале- апреле 2017 г. прошла повышение квалификации в ГАОУ ДПО Центре «Профессионал» по программе 3D-моделирование и основы 3D-печати и за время обучения успешно сдала экзамены и зачеты по основным дисциплинам программы. По окончании ей выдано удостоверение о повышении квалификации № 12369 от 17.04.2017

Cимпозиум Nanostructures: Physics and Technology

Сотрудники института приняли участие в 25-м международном симпозиуме Nanostructures: Physics and Technology, проводившемся в период с 26 по 30 июня в Санкт-Петербурге. Член-корреспондент РАН Виктор Иванович Рыжий выступил с приглашенным устным докладом «Graphene-based heterostructures: device concepts and prospects». Сотрудники лаб. 101 Галиев Г.Б. и Клочков А.Н. представили доклады по физике и технологии низкотемпературных материалов GaAs

Участие научного руководителя ИСВЧПЭ РАН П.П. Мальцева в заседании ВАК при Министерстве образования и науки РФ

15.06.2017 Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН П.П. Мальцев принял участие в заседании Высшей аттестационной комиссии при Министерстве образования и науки Российской Федерации. Повестка заседания

Д.С. Пономарев выступил в НОЦ «Фотоника и ИК-техника» МГТУ им. Н.Э. Баумана

23 июня заместитель директора по научной работе Д.С. Пономарев выступил в НОЦ «Фотоника и ИК-техника» МГТУ им. Н.Э. Баумана с докладом о разработках ИСВЧПЭ РАН в области создания источников и детекторов терагерцового излучения на основе полупроводниковых структур А3В5

Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения (INTERMATIC — 2017)

Уважаемые коллеги! Приглашаем Вас принять участие в МЕЖДУНАРОДНОЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ «ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ» (INTERMATIC — 2017) 20 — 24 ноября 2017 г. и IX ВСЕРОССИЙСКОЙ ШКОЛЕ-КОНФЕРЕНЦИИ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ «ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ РАДИОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯK» (МОЛОДЫЕ УЧЕНЫЕ — 2017) 21 — 23 ноября 2017 г., которые будут проводиться на базе МИРЭА и МТУСИ в г. Москве. Внимание!

«МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»

24 мая 2017 года сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в 8-ой Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ». Ознакомится с Программой конференции

Научная сессия по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения

18.05.2017 в Сколково Московской области была проведена научная сессия, организованная Научным советом РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, АО «НИИМЭ», Сколковским институтом науки и технологий и Фондом «Сколково» по теме «МАТЕРИАЛЫ для СОВРЕМЕННОЙ МИКРОЭЛЕКТРОННОЙ БАЗЫ». Итоги и программа научной сессии