20 января 2021 с 14-00 до 16-00 состоятся выборы директора ИСВЧПЭ РАН. Голосование будет проходить в холле 1-го этажа;

2020г, Все новости

Список кандидатов на должность директора и их программы развития института:

 

В выборах директора участвуют все сотрудники, с которыми на день голосования заключен срочный или бессрочный трудовой договор

  • Президиум РАН согласовал кандидатуры на должность директора Постановлением от 24 ноября 2020 № 180.
  • Минобрнауки России распоряжением от 22 декабря 2020 г. № 243-р утвердил кандидатуры на должность директора.
  • Приказом от 25 декабря 2020 № 104-ОД утверждена дата выборов на 20 января 2021 г.
  • Для проведения выборов директора ИСВЧПЭ РАН Ученым советом (Протокол № 8 от 25 декабря 2020 г.) избран и утвержден состав избирательной комиссии:

Мартыненко А.С. – председатель
Подольская К.Ю.  – секретарь
Ячменев А.Э. (лаб.103)
Гончар Ю.А. (ОК)
Матвеенко О.С. (104)
Павлов А.Ю. (106)

Состав избирательной комиссии (.pdf)

 

Положение о порядке проведения выборов директора 1 (.pdf)
Положение о порядке проведения выборов директора 2 (.pdf)

 

ИСВЧПЭ РАН принял участие в конкурсе РВК

2020г, Все новости

ИСВЧПЭ РАН принял участие в конкурсе РВК https://www.rvc.ru/nti/centers/round3/status/ по созданию Центров национальной технологической инициативы по направлению «сквозной технологии» Фотоника.

В консорциум вошло более 13 участников, среди которых ведущие технические вузы, научные организации и отечественные и зарубежные промышленные предприятия.

Головным исполнителем поданной заявки выступил РТУ МИРЭА

ВАКАНСИЯ ID VAC_ 69773

2020г

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_ 69773

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 23 ноября 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 9 октября 2020 года; — окончание приема: 20 ноября 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность старшего научного сотрудника «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; (1 ставка)

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Физика конденсированного состояния
Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Проведение структурных исследований с помощью анализа карт обратного пространства полученных методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Исследование влияния структурных особенностей на электро-физические свойства A3B5наногетероструктур и HEMT на их основе.
Проведение технического обслуживания и ремонта оборудования лаборатории
Исследование структур и устройств с резистивной памятью
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата технических наук: 1 шт.

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 18

Условия:

Заработная плата:
22 893,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 09.10.2020 г. по 20.11.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

 

Результаты конкурса

2020г

В соответствии с конкурсом на вакантную должность старшего научного сотрудника «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5»  (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 09.10.2020 г. VAC69773), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.01.2020 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— старший научный сотрудник лаборатории  № 105 «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5».

– Рубан Олег Альбертович

Протокол (.pdf)

Приглашение принять участие в XII Международном бизнес-форуме

2020г, Все новости

Информационная группа ComNews приглашает Вас и Ваших коллег принять участие в XII Международном бизнес-форуме «Wireless Russia & CIS: Сети LTE, 5G и IoT – новые технологии, бизнес-модели и эффективное использование спектра».

Дата и место проведения: 19-20 ноября 2020 г., отель «Хилтон Гарден Инн Москва Красносельская» (г.Москва, Верхняя Красносельская ул., 11А, стр. 4). Wireless Russia-2020

https://www.comnews—conferences.ru/ru/conference/wireless2020