Научный семинар Научного совета по теме «Квантовые вычисления» в ИФТТ РАН

11 декабря 2019 г., с 11:00 в ИФТТ РАН состоится научный семинар Научного совета по теме «Квантовые вычисления». Адрес: Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2

Программа (.pdf)
Подробнее (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность ведущего научного сотрудника (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф от 04.10.2019 г. VAC 53954), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 30.10.2019 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— ведущий научный сотрудник – Матвеенко О.С. (1,5 ставки).

Протокол 9 от 30.10.2019 (.pdf)

Участие в международной конференции «2D Materials 2019»

С 30 сентября по 4 октября 2019 года в городе Адлере (Сочи) прошла международная конференция «2D Materials 2019», где приняли участие с приглашенными докладами сотрудники ИСВЧПЭ РАН В.И. Рыжий, Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев

Участие в Международном форуме «Микроэлектроника 2019»

С 30 сентября по 5 октября 2019 г. в г. Алушта, Республика Крым состоялся Международный форум «Микроэлектроника 2019», в котором приняла участие ведущий специалист ИСВЧПЭ РАН Иванова Н.Е., выступив с докладом «Малошумящий усилитель мощности на 1-20 ГГц». По итогам выступлений Иванова Н.Е стала лауреатом конкурса «Фестиваль Инноваций » в рамках форума «Микроэлектроника 2019».

Приглашение на Международную специализированную выставку лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника-2020»

Приглашаем Вас принять участие в Международной специализированной выставке лазерной, оптической и оптоэлектронной техники «Фотоника-2020» (www.photonics-expo.ru ), которая состоится в период с 31 марта по 3 апреля 2020 года по адресу: Москва, Краснопресненская набережная, д.14, ЦВК «Экспоцентр», павильон «Форум».

Выставка проходит при поддержке и содействии:

  • Министерства промышленности и торговли РФ
  • Государственного комитета по науке и технологиям Республики Беларусь
  • Ассоциации EPIC (European Photonics Industry Consortium)

Под патронатом:

  • Торгово-промышленной палаты РФ

Подробности (.pdf)

Авторам и подписчикам журнала «Нано-и микросистемная техника»

Уважаемые аспиранты!

Приглашаем Вас публиковать статьи в журнале «Нано-и микросистемная техника».
Статьи публикуются через три месяца после поступления в редакцию и получения положительной рецензии редколлегии.

Главный редактор  П. Мальцев

Авторам и подписчикам НМСТ (.docx)

Участие в VIII Всероссийской конференции по атмосферному электричеству

С 23 по 27 сентября 2019 г. в г. Нальчик,  в ФГБУ «Высокогорный геофизический институт»  состоялась VIII Всероссийская конференция по атмосферному электричеству с международным участием, в которой с докладом на тему «Квантовые преобразования энергии атмосферы» выступил ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН А.А. Ганжа. Материал доклада (статья) вошел в сборник трудов конференции и будет опубликован в журнале, который входит в перечень ВАК.

Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_53954

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 30 октября 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 4 октября 2019 года; — окончание приема: 25 октября 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (1,25 ставки)

  • Отрасль науки:
  1. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
  • Тематика исследований:

Полный цикл разработки МИС СВЧ диапазона: исследования параметров HEMT транзисторов и создание их моделей, моделирование на их основе принципиальных схем и топологических проектов МИС,  исследование характеристик готовых МИС.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

    • Проведение опытно-конструкторских и научно-исследовательских работ в области разработки МИС СВЧ.
    • Выбор технологических и конструктивных решений для проектирования МИС СВЧ.
    • Измерение параметров тестовых HEMT-транзисторов, разработка их моделей.
    • Схемотехническое и электродинамическое моделирование МИС СВЧ.
    • Разработка топологических проектов МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов с учетом технологических маршрутов ИСВЧПЭ РАН.
    • Анализ измеренных характеристик МИС СВЧ.
    • Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований.
    • Подготовка материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау).

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 7

Условия:

Заработная плата:
26 205,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 04.10.2019 г. по 25.10.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

С уважением,
Гончар Юлия Александровна

Участие в Международной конференция «Saratov Fall Meeting – 2019»

С 24 сентября по 27 сентября 2019 г. в г. Саратов, в Саратовском  национальном  исследовательском государственном университете  имени Н. Г. Чернышевского состоялась  Международная конференция  «Saratov Fall Meeting — 2019, секция  Advanced Materials for Optics and Biophotonics и   Terahertz Optics and Bio photonics»,  в которой приняли участие  сотрудники ИСВЧПЭ РАН с докладами. Лаврухин Д.В. с докладом  «Strain-induced superlattices ingaas/inalas for terahertz applications»,  Хабибуллин Р.А. с докладом  «Thz quantum cascade lasers based on novel designs and materials»,  Пономарев Д.С. с докладом « Light confinement in photoconductive antennas featuring plasmonic and dielectric structures»,  Глинский И.А. с докладом  « Sub-wavelength focusing of a fs-laser beam using dielectric particles».