ВАКАНСИЯ ID VAC_51718

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51718

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов»

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и построение НЕМТ транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе с высокой воспроизводимостью в полосе частот до 100 ГГц и выше.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Применение методов машинного проектирования НЕМТ и монолитных интегральных схем

оценка результатов интеллектуальной деятельности (патентов, публикаций) в России и за рубежом в области построения НЕМТ и монолитных интегральных схем.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты):

Условия:

Заработная плата:
26 205 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ
Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
Тематика исследований:
Моделирование тепловых процессов в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы. Моделирование устройств радио- и оптоэлектроники методом конечных элементов.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Проведение моделирования распределения температуры в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы.
Исследование влияния топологии монолитных интегральных схем на распределение температуры методом конечных элементов.
Моделирование электрофизических процессов в оптоэлектронике методом конечных элементов.
Настройка и сопровождение вычислительного оборудования.
Моделирование мемристоров.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом об окончании аспирантуры: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:7

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:8

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51714

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51714

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5»

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
Физика конденсированного состояния
Тематика исследований:
Исследование структурных и электрофизических свойств наногетероструктур на основе A3B5 соединений и поиск корреляций с СВЧ характеристиками HEMT на их основе.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Проведение структурных исследований с помощью анализа карт обратного пространства полученных методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии.
Исследование влияния структурных особенностей на электро-физические свойства A3B5наногетероструктур и HEMT на их основе.
Проведение технического обслуживания и ремонта оборудования лаборатории

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:7

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:7

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 2

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2019 г.
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51713

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51713

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания генераторов и детекторов ТГц излучения

(0.5 – 5 ТГц) на основе SI GaAs, LT GaAs и наногетероструктур InAlAs/InGaAs выращенных на подложках InP и GaAs.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Разработка и проектирование фотопроводящих источников ТГц излучения на основе SI GaAs, LT GaAs и наногетероструктур InAlAs/InGaAs.
Выявление особенностей генерации поверхностных плазмонных волн в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InAlAs/InGaAs.
Исследование влияния суб-волновой фокусировки оптического излучения диэлектрическими частицами на эффективность фотогенерации в наногетероструктурах.
Исследование динамики тепловых процессов в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе материалов A3B5, генераторах и детекторах ТГц диапазона частот.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:20

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:16

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 1

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2018 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51706

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51706

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе»
Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и разработка прецизионных плазмохимических процессов травления и осаждения материалов с целью оптимизации технологических процессов для создания приборов СВЧ электроники. СВЧ ЭЦР процессы травления, СВЧ плазменные процессы формирования слоев 3С-SiC на кремнии, лазерные плазмохимические процессы, травление поликристаллического алмаза, сапфира и разработка соответствующих экспериментальных технологических установок.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Исследование и разработка СВЧ ЭЦР плазменных процессов травления материалов микроэлектроники и соответствующих экспериментальных установок.
Исследование и разработка лазерных плазмохимических процессов травления применительно к фрагментированию пластин на кристаллы поликристаллического алмаза и сапфира.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 3

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:

Заработная плата:
26 205 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79

Заседание Научно-технического совета технологической платформы «СВЧ технологии»

18.07.2019 г.  в  г. Фрязино Московской обл. состоялось заседание Научно-технического совета технологической платформы «СВЧ технологии», на котором со вступительным словом и заключительным словом, выступил директор  ИСВЧПЭ РАН, д-р техн. наук, проф., председатель  НТС технологической платформы «СВЧ технологии»  Сергей  Анатольевич Гамкрелидзе. Повестка заседания (.docx)

Участие в Международном симпозиуме «8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies & GDR-I FIR-LAB Workshop»

С 8 по 11 июля 2019 г. в Нижнем Новгороде прошел международный симпозиум «8th Russia-Japan-USA-Europe Symposium on Fundamental & Applied Problems of Terahertz Devices & Technologies & GDR-I FIR-LAB Workshop», в котором приняли участие с пленарным, приглашенным и стендовым докладами главный научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий, заместитель директора ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н., доцент Д.С. Пономарев и старший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.т.н. Щаврук Н.В

I Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов (МММЭК-2019)»

21-23 октября 2019 г. в Москве состоится I Международная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов (МММЭК-2019)»

Подробности в файле вложения (.pdf)

 

Участие в XVIII Российской конференции «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО — и НАНОЭЛЕКТРОНИКА — 2019»

С 24 по 27 июня 2019 г. в г. Суздаль Владимирской области прошла XVIII Российская конференция «ЭЛЕКТРОНИКА, МИКРО — и НАНОЭЛЕКТРОНИКА — 2019»,
на которой 26 июня с докладом на тему «Моделирование распределения тепловых потоков в HEMT-транзисторах» выступил м.н.с . ИСВЧПЭ РАН Зенченко Николай Владимирович.

Главный научный сотрудник, лаборатория № 103 (Физико-математические науки, 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи)

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.

Должность: Главный научный сотрудник, лаборатория № 103

Отрасль науки: Физико-математические науки, 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи

Тематика исследований: Разработка физических принципов увеличения чувствительности и возможности динамического управления полосой пропускания фотодетекторов терагерцевого излучения на основе кристаллитов черного фосфора (фосфорена) и графена, их гибридных гетероструктур, а также других низкоразмерных систем

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:

  • разработка физических моделей ТГц фотодетекторов на основе кристаллитов черного фосфора и графена, а также их гибридных структур;
  • разработка и изготовление образцов кристаллитов черного фосфора с различной толщиной на подложках Si/SiO2;
  • моделирование дизайна ТГц антенн для созданных кристаллитов черного фосфора, определение их оптимальных геометрических параметров, а также оценка распределения электрических полей;
  • разработка методик неразрушающего оптического контроля двумерных кристаллитов черного фосфора;
  • разработка и применение методов ТГц спектроскопии временного разрешения (в том числе метода оптической накачки-зондирования) для исследования параметров кристаллитов черного фосфора (подвижность, время жизни фотовозбужденных носителей заряда, ширина запрещенной зоны);
  • разработка технологических приемов и экспериментальных методик для создания ТГц фотодетекторов на основе исследуемых материалов.

 

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:

  • диплом о высшем образовании: 1 шт.
  •  диплом доктора наук: 1 шт.
  • наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 15
  • наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 45
  • наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
26 516 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:  Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да

Тип занятости: Полная занятость

Режим работы: неполный день

Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 21.06.2019 г. по 21.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79