ВАКАНСИЯ ID VAC_58630

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_58630

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 января 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 31 декабря 2019 года; — окончание приема: 24 января 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность  заведующего «Лабораторией   исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5;                  (1 ставка)

Отрасль науки:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs, в том числе с различными кристаллографическими ориентациями, для приборов СВЧ электроники (диапазон 90 – 300 ГГц).
Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц).
Разработка и исследование технологических основ и принципов создания наногетеростуктур для полевых транзисторов на основе полупроводников A3B5 группы.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , технологических условий эпитаксиального роста и послеростового отжига на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наностурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs, а также на основе множественных квантовых ям LT-InGaAs/InAlAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Исследование влияния технологических процессов, используемых при изготовлении эпитаксиальных полупроводниковых структур, на их электрофизические свойства и характеристики в зависимости от режимов их реализации.
Исследование структурных, оптических и электрофизических свойств выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии структур.
Проведение анализа технического задания на разработку МИС СВЧ в части требований, предъявляемых к материалам и типам наногетероструктур
Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований, а также материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау)

 

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата физико-математических наук: 1 шт.

— опыт научной и организаторской работы не менее 5 лет

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 10

Условия:

Заработная плата:
30 910,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 31.12.2019 г. по 24.01.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

Заседание Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» прошло в Зеленограде

23.12.2019 в г. Зеленограде, в АО «НИИМЭ»  прошло  заседание  Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»

Протокол (.pdf)

Девятая Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ»

От имени организационного комитета конференции приглашаем Вас принять участие в Девятой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», которая состоится в Санкт- Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ) с 01 по 04 июня 2020 года

Подробнее  (.docx)

 

ВАКАНСИЯ ID VAC_58061

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_58061

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 января 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 20 декабря 2019 года; — окончание приема: 24 января 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (1 ставка)

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Тематика исследований:
Полный цикл разработки МИС СВЧ диапазона: исследования параметров HEMT транзисторов и создание их моделей, моделирование на их основе принципиальных схем и топологических проектов МИС, исследование характеристик готовых МИС.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Проведение опытно-конструкторских и научно-исследовательских работ в области разработки МИС СВЧ.
Выбор технологических и конструктивных решений для проектирования МИС СВЧ.
Измерение параметров тестовых HEMT-транзисторов..
Измерение параметров изготовленных МИС СВЧ.
Схемотехническое и электродинамическое моделирование МИС СВЧ.
Разработка топологических проектов МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов с учетом технологических маршрутов ИСВЧПЭ РАН.
Анализ измеренных характеристик МИС СВЧ.
Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований.
Подготовка материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау).

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— стаж научной работы не менее 3 лет.

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 5

Условия:

Заработная плата:
18 162,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 20.12.2019 г. по 24.01.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

Собрание консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».

Приглашаем  на собрание консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», которое  состоится в г. Зеленограде в АО «НИИМЭ» 23 декабря, начало в 11.00

Подробнее (.docx)

Научный семинар Научного совета по теме «Квантовые вычисления» в ИФТТ РАН

11 декабря 2019 г., с 11:00 в ИФТТ РАН состоится научный семинар Научного совета по теме «Квантовые вычисления». Адрес: Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2

Программа (.pdf)
Подробнее (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность ведущего научного сотрудника (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф от 04.10.2019 г. VAC 53954), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 30.10.2019 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— ведущий научный сотрудник – Матвеенко О.С. (1,5 ставки).

Протокол 9 от 30.10.2019 (.pdf)

Участие в международной конференции «2D Materials 2019»

С 30 сентября по 4 октября 2019 года в городе Адлере (Сочи) прошла международная конференция «2D Materials 2019», где приняли участие с приглашенными докладами сотрудники ИСВЧПЭ РАН В.И. Рыжий, Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев