Российская академия наук объявила открытый конкурс на соискание медалей

Российская академия наук объявила открытый конкурс на соискание медалей Российской академии наук с премиями для молодых ученых России и для студентов высших учебных заведений России за лучшие научные работы

Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37641

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 7 августа 2018 года; — окончание приема: 27 августа 2018 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу:117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Наличие за последние 5 лет:

— не менее 3 научных трудов (монографий; статей в журналах, включенных в Перечень ведущих рецензируемых журналов и изданий, определенных ВАК для публикаций трудов на соискание учёных степеней кандидатов и докторов наук; статей в изданиях, индексируемых в международных базах данных Scopus, Web of Science);

— наличие патентов на изобретение, полезную модель, зарегистрированных в установленном порядке научных отчетов.

Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф

ВАКАНСИЯ ID VAC_37637

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 августа 2018 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 3 августа 2018 года; — окончание приема: 23 августа 2018года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14),

тел. 8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» 1,0 ставки.
Требования к квалификации:

высшее профессиональное образование;

ученая степень кандидата наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет.

Объявлен набор в аспирантуру ИСВЧПЭ РАН

Объявлен набор в аспирантуру ИСВЧПЭ РАН по направлению подготовки 11.06.01 по направленностям 05.27.01 и 05.27.06 (http://new.isvch.ru/asp/). Заинтересованных лиц просьба обращаться по телефону 8(499)123-44-64 , либо по электронной почте iuhfseras2010@yandex.ru

Распоряжение правительства РФ

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук с 27 июня 2018 г. перешло в ведомство Министерства науки и высшего образования Российской Федерации

Скачать.pdf

Дипломы об окончании аспирантуры ИСВЧПЭ РАН

Младшие научные сотрудники ИСВЧПЭ РАН Зенченко Николай Владимирович  и Майтама Максим Викторович получили дипломы об окончании аспирантуры ИСВЧПЭ РАН

Участие в научной сессии

Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. и заведующий лабораторией ИСВЧПЭ РАН Павлов А.Ю. приняли участие в научной сессии «Исследовательские и образовательные компетенции для цифровой экономики» (ВЦ РАН им. А.А. Дородницына, 06 июня 2018 г.)

Программа научной сессии.doc

Участие в международной конференции «Оптика Лазеров 2018»

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в 18th International Conference Laser Optics 2018. Ученый секретарь, вед. научный сотрудник Р.А. Хабибуллин выступил с докладом — «The investigation of temperature degradation in THz quantum cascade lasers based on resonant-phonon design». Научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Д.В. Лаврухин принял участие с докладом «Broadband THz pulsed spectroscopy with impedance-matched antennas»