7-ой ежегодный международный научно-практический семинар пользователей оборудования Raith

31 мая 2018 года состоится 7-ой ежегодный международный научно-практический семинар пользователей оборудования Raith «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith: от идеи до реализации»

Место проведения: г. Москва, ИСВЧПЭ РАН, Нагорный проезд д.7

Информационное письмо (.docx)
Карточка регистрации Raith

XXV Международная научная конференция студентов

Младший научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Глинский И.А. принял участие в XXV Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов» (МГУ им. М.В.Ломоносова 9-13 апреля 2018 г.)

Сертификат участника конференции (.pdf)

Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. принял участие в заседании научного семинара

Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. принял участие в заседании научного семинара «Топологически нетривиальные материалы: двумерные и трёхмерные топологические изоляторы» (АО «НИИМЭ», 04 апреля 2018 г.)

Программа семинара (.pdf)

Общее собрание членов РАН. Выступление президента РАН, академика Александра Сергеева

29.03.2018-30.03.2018 гг. в г. Москве прошло общее собрание членов РАН, в котором принял участие главный научный сотрудник лаборатории ИСВЧПЭ РАН, д.ф.м.н., профессор, член-корреспондент РАН В.И. Рыжий

Президент РАН академик Александр Сергеев о разработках в ИСВЧПЭ РАН квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот

Повестка ОС РАН (.doc)

Общее собрание отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН

28.03.2018 г. в г. Москве прошло общее собрание отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, в котором приняли участие директор ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор С.А. Гамкрелидзе, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, д.т.н., профессор П.П. Мальцев, главный научный сотрудник лаборатории ИСВЧПЭ РАН, д.ф.м.н., профессор, член-корреспондент РАН В.И. Рыжий

Повестка ОС ОНИТ (.doc)

НАУЧНАЯ СЕССИЯ «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем»

28.02.2018 г. в ВЦ РАН им. А.А. Дородницына, г. Москва, состоялась НАУЧНАЯ СЕССИЯ «Элементная база информационно-вычислительных и управляющих систем», научный руководитель академик РАН Г.Я. Красников, в которой приняли участие директор ИСВЧПЭ РАН, доктор технических наук С.А. Гамкрелидзе, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, доктор технических наук П.П. Мальцев и начальник лаборатории ИСВЧПЭ РАН, кандидат технических наук А.Ю. Павлов. А.Ю. Павлов выступил на сессии с докладом на тему «Цифровое» травление барьерного слоя AlGaN/AlN/GaN HEMT в технологическом цикле изготовления нитрид галлиевых МИС высокой функциональной сложности»