Монография

Вышла монография «Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5» / Под редакцией д.т.н., профессора П.П. Мальцева Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2018. – 524 с. ISBN 978-5-94836-526-8

Участие в симпозиуме по Полупроводниковым лазерам

13-16 ноября 2018 г. в Санкт-Петербурге прошел 6-й Российский симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». В симпозиуме принял участие ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин с докладом «Исследование спектров излучения квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона на основе GaAs/AlGaAs». С программой симпозиума можно ознакомится на сайте

Cовместное заседание по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве электронной компонентной базы

16 октября 2018 г. в Москве, на территории АО «РТИ», прошло совместное заседание АО «РТИ» и Секции № 9  по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве электронной компонентной базы (ЭКБ) Межведомственной рабочей группы (МРГ) по вопросам разработки и производства ЭКБ при коллегии Военно-промышленной комиссии Российской Федерации (ВПК РФ). В  заседании с докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН д.т.н., профессор П.П.Мальцев

13-14 ноября 2018 г. в Москве состоится общее собрание членов РАН

13-14 ноября 2018 г. в Москве состоится общее собрание членов РАН.
На 12 ноября  2018 Г. намечается проведение общих собраний отделений РАН

Директорам научных учреждений, находящихся под научно-методическим руководством ОНИТ РАН Профессорам ОНИТ РАН

Сообщаем, что в соответствии с постановлением президиума РАН от 18 сентября
2018 г. № 130 «Об общем собрании членов РАН 13-14 ноября 2018 г. намечается проведение Общего собрания РАН, на 12 ноября 2018 г. – проведение общих собраний отделений РАН (см. на сайте РАН и во вложении).

Общее собрание ОНИТ РАН будет проходить с (внимание!) 15-00 по адресу:
Москва, Ленинский пр., 32-а, зал будет сообщен дополнительно.
ВНИМАНИЕ:
Заказ гостиницы теперь производится через «свою» организацию на электронную почту reserv@maan.ru или на факс. 8-495-427-55-00.
Справки по тел. 8-495-989-60-09:
Ирина Николаевна,
Полина.
Начальник отдела — заместитель академика-секретаря ОНИТ РАН по научно-организационной работе
к.т.н. Н.В. Попенко

Повестка (.pdf)
Повестка (.doc)

 

Научная сессия 26 ноября 2018

Отделение нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук, Научный совет РАН

«Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания», Консорциум

«Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» приглашает Вас и Ваших коллег принять участие в работе научной сессии по теме

«Новые материалы с заданными функциями и высокочистые наноматериалы для создания элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем».

Сессия состоится в понедельник, 26 ноября 2018 г. с 11:00 в Президиуме РАН по адресу: г. Москва, Ленинский пр-т, 32а, корп. Г, эт. 3, Зеленый зал.

Для оформления участия в сессии прошу Вас до 1 ноября направить ученым секретарям Совета:
— ФИО полностью, место работы, должность, ученую степень, контактный телефон, эл. почту;
— для проезда: марку и госномер автомобиля.

Проход и проезд участников без членства в РАН осуществляется по заранее поданным спискам и предъявлению паспорта.

Контакты ученых секретарей Совета:
— Тельминов Олег Алесандрович: otelminov@niime.ru, тел. (495) 229-74-97, (916) 693-08-14,
— Харченко Людмила Юлиановна: kharchenko2009@mail.ru,  тел. (916) 566-34-76.

Программа

Проведена первая в России секция по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ)

Впервые в России была проведена секция по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ) в рамках международной конференции “Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications” (TERA-2018), которая прошла 22-25 октября 2018 г. в Институте прикладной физика РАН (Нижний Новгород). Председатель секции по ТГц ККЛ — ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин и выступил с приглашенным докладом «Terahertz quantum cascade laser with silver- and gold-based waveguide». На конференции с пленарным докладом выступил “создатель” первого ТГц ККЛ — Alessandro Tredicucci из Пизанского университета (Италия). 

С программой конференции можно ознакомиться на сайте

Восьмая всероссийская научно-техническая конференция

Восьмая всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем» МЭС-2018 прошла с 1 по 5 октября 2018 года в Зеленограде. На конференции с докладом на тему «Технология изготовления взаимодополняющих транзисторов на нитриде галлия» выступил зав. лабораторией ИСВЧПЭ РАН А.Ю. Павлов

Международная научно‐техническая конференция СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЕЁ ПРИМЕНЕНИЕ

Международная научно‐техническая конференция СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЕЁ ПРИМЕНЕНИЕ 4-я конференция имени О.В. Лосева посвящённая 100 –летию «Нижегородской радиолаборатории» 29-30 ноября 2018 г. Нижний Новгород

Информация (.pdf)

Победители конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантные должности научного сотрудника лаборатории № 106, размещенных на сайте www.ученые-исследователи.рф вакансия ID VAC_40702 от 29.08.2018 г., вакансия ID VAC_40972 от 6.09.2018 г. и вакансия ID VAC_40982 от 6.09.2018 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантных должностей Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Павлова Владимира Юрьевича;

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Томоша Константина Николаевича;

— научного сотрудника лаборатории № 106 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — Слаповского Дмитрия Николаевича;

Протокол 18 (.pdf)
Протокол 19 (.pdf)
Протокол 20 (.pdf)