Конкурс на замещение вакантной должности

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности

Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Технология создания сверхвысокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия и построение их компактных моделей
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Исследования технологических процессов изготовления Т-образных затворов полевых транзисторов, исследования частотных и шумовых параметров полевых транзисторов на основе нитрида галлия, проведение измерений параметров изготовленных транзисторов, построение шумовых и нелинейных моделей транзисторов для анализа технологических процессов изготовления, а также для проектирования монолитных интегральных схем различных частотных диапазонов
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5 шт.
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 5 шт.

Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Внеочередное Общее собрание участников Технологической платформы «СВЧ технологии»

Организациям — участникам Технологической платформы «СВЧ технологии»!
27 февраля 2017 года в 15-00 состоится внеочередное Общее собрание участников Технологической платформы.
Место проведения собрания: г. Москва, Бережковская набережная, д. 38, стр. 1, 10 этаж, конференц-зал Холдинга АО «Росэлектроника»

Журнал «Нано- и микросистемная техника»

Журнал «Нано- и микросистемная техника» входит в международные базы данных по химическим наукам – Chemical Abstracts Service (CAS) и по техническим наукам – INSPEC, а также индексируется в международной научной базе цитирования Russian Science Citation Index (RSCI) на платформе Web of Science.
Журнал включен в Российский индекс научного цитирования (РИНЦ) и Перечень журналов ВАК России.
Статьи имеют DOI и печатаются в журнале на русском и английском языках.
Журнал выходит под научно-методическим руководством Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук.
Статьи на русском и английском языках, а также требования к статьям для публикации доступны на сайте журнала http://www.microsystems.ru.
Статьи направлять ответственному секретарю журнала Лысенко Антонине Викторовне (nmst@novtex.ru, тел/факс: +7 (499) 269-55-10).
Приглашаем авторов к публикации статей в журнале «Нано- и микросистемная техника»!

Главный редактор,
Заслуженный деятель науки,
д.т.н, профессор
П.П. Мальцев