Cимпозиум Nanostructures: Physics and Technology

Сотрудники института приняли участие в 25-м международном симпозиуме Nanostructures: Physics and Technology, проводившемся в период с 26 по 30 июня в Санкт-Петербурге.

Член-корреспондент РАН Виктор Иванович Рыжий выступил с приглашенным устным докладом «Graphene-based heterostructures: device concepts and prospects».

Сотрудники лаб. 101 Галиев Г.Б. и Клочков А.Н. представили доклады по физике и технологии низкотемпературных материалов GaAs и InGaAs для терагерцевых фотопроводящих антенн.

Программы устных и стендовах докладов:

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей. 29.06.2017 г.

Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»
наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Участие научного руководителя ИСВЧПЭ РАН П.П. Мальцева в заседании ВАК при Министерстве образования и науки РФ

15.06.2017 Научный руководитель ИСВЧПЭ РАН П.П. Мальцев принял участие в заседании Высшей аттестационной комиссии при Министерстве образования и науки Российской Федерации.

Повестка заседания

Д.С. Пономарев выступил в НОЦ «Фотоника и ИК-техника» МГТУ им. Н.Э. Баумана

23 июня заместитель директора по научной работе Д.С. Пономарев выступил в НОЦ «Фотоника и ИК-техника» МГТУ им. Н.Э. Баумана с докладом о разработках ИСВЧПЭ РАН в области создания источников и детекторов терагерцового излучения на основе полупроводниковых структур А3В5

Состоялся 6-й семинар пользователей оборудования Raith

09.06.2017 в Москве, в МГТУ имени Н.Э. Баумана состоялся 6-й семинар пользователей оборудования Raith. Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith: от идеи до реализации.

Файлы

Raith-2017.pptx
Program_Raith_User_Meeting_2017.pdf