Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия (Ученый совет) ИСВЧПЭ РАН приняла решение избрать:
— на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов — Ганжу Алексея Александровича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №14/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Матвеенко Ольгу Сергеевну.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №12/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — Гнатюка Дмитрия Леонидовича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №11/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе — Павлова Александра Юрьевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 №8/2017)

— на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5 – Климова Евгения Александровича
(Протокол заседания от 31.10.2017 №13/2017)

— на должность заведующего лабораторией исследования принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Алешина Андрея Николаевича.
(Протокол заседания от 31.10.2017 № 10/2017)

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101), наличие степени -1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Ведущий научный сотрудник: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105), наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» (лаборатория № 106) наличие степени — 1 вакансия (оклад 25 197,00 руб);

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Срок подачи документов – с 25 октября 2017 г. по 15 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79, контактное лицо Никитина Елена Владимировна

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru