Заседание, семинар

13 декабря 2017 г. в ИСВЧПЭ РАН ( г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, стр. 5, 3-й этаж, комната 502) в 14: 30 состоится заседание постоянно действующего семинара «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого (ТГц) диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»

Руководитель семинара: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Тема семинара: «Преобразование лазерного излучения в ТГц в фотопроводящих материалах на основе GaAs»

Программа семинара (.doc)

Международный Форум «Технологии –ЭЛТ 2017»

C 27 ноября по 29 ноября состоялся второй международный Форум «Технологии –ЭЛТ 2017», организованный Казенным предприятием г. Москвы «Корпорацией развития Зеленограда» совместно с НИИ Молекулярной Электроники (г. Зеленоград) и Федеральным государственным бюджетным учреждением науки Институтом проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук (г. Черноголовка), а также при активном участии Первого Московского государственного медицинского университета имени И.М. Сеченова (г. Москва), на котором с докладом выступил директор ИСВЧПЭ РАН Сергей Анатольевич Гамкрелидзе.