Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность: Инженер-исследователь
• Отрасль науки: Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
• Тематика исследований: Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи: Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей. Ведение проектной документации. Проектировка печатных плат. Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— стаж не менее 1 года.

Условия:
• Заработная плата: 12 685 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор:Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 15.02.2017 г. по 15.04.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Никитина Елена Владимировна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Объявление о проведении конкурсного отбора проектов

Объявление о проведении конкурсного отбора проектов на предоставление субсидий в целях реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы». (Подробности во вложении)

Скачать (.pdf)

Конкурсная комиссия

Конкурсная комиссия приняла решение избрать на должность ведущего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе» Хабибуллина Рустама Анваровича.
(Протокол заседания от .18.12.2017 №14/2017)

ВНИМАНИЮ КООРДИНАТОРОВ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПЛАТФОРМ!

Уважаемые коллеги!
Благодарим тех, кто принял участие в работе круглого стола «Роль технологических платформ в современной инновационной системе», прошедшего 14 декабря 2017 года в рамках деловой программы «ВУЗПРОМЭКСПО-2017»
Отмечаем актуальность представленных материалов и их содержательное наполнение, а также значительный интерес, проявленный как представителями технологических платформ, так и научными и образовательными учреждениями, направленный на повышение эффективности совместного решения задач инновационного развития России
Следует отметить широкое обсуждение докладов как руководителей, так и специалистов.
Материалы презентаций, а также буклеты о Российских и Евразийских технологических платформах доступны по ссылке: https://yadi.sk/d/4Fuq6-So3PVTmd

Заседание, семинар

13 декабря 2017 г. в ИСВЧПЭ РАН ( г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, стр. 5, 3-й этаж, комната 502) в 14: 30 состоится заседание постоянно действующего семинара «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого (ТГц) диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»

Руководитель семинара: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Тема семинара: «Преобразование лазерного излучения в ТГц в фотопроводящих материалах на основе GaAs»

Программа семинара (.doc)

Международный Форум «Технологии –ЭЛТ 2017»

C 27 ноября по 29 ноября состоялся второй международный Форум «Технологии –ЭЛТ 2017», организованный Казенным предприятием г. Москвы «Корпорацией развития Зеленограда» совместно с НИИ Молекулярной Электроники (г. Зеленоград) и Федеральным государственным бюджетным учреждением науки Институтом проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук (г. Черноголовка), а также при активном участии Первого Московского государственного медицинского университета имени И.М. Сеченова (г. Москва), на котором с докладом выступил директор ИСВЧПЭ РАН Сергей Анатольевич Гамкрелидзе.