15.04.16
Пушкарев Сергей стал победителем конкурса 2016 -2018 года на получение стипендии Президента РФ молодым ученым и аспирантам. Тема: «Исследование дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs при низкотемпературном эпитаксиальном росте»
Хабибуллин Рустам выиграл Грант Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых (Решение Конкурсной комиссии от 11.02.2016, протокол №1).Тема: «Разработка терагерцового квантово-каскадного лазера с длиной волны 100 мкм»
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность: Старший научный сотрудник
Отрасль науки: Физика конденсированного состояния
Тематика исследований:Исследование электронного транспорта в гетероструктурах с квантовыми ямами InAlAs/InGaAs на основе подложек InP, моделирование зонного профиля гетероструктур (зона проводимости, валентная зона, огибающие волновых функций электронов и дырок в квантовой яме и т.д.), эффект Холла, спектроскопия фотолюминесценции.
Регион: Москва
Населенный пункт:117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии: Задачи: Расчет зонных структур гетероструктур с различной конструкцией квантовой ямы (одиночная и составная яма), определение концентрации и подвижности носителей в квантовой яме методом эффекта Холла при различной температуре измерения (77-300 К), эпитаксиальный рост гетероструктур
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— кандидат физико-математических наук: 1 шт
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 1 шт.
— участие в качестве ответственного или основного исполнителя работ в грантах: 1 шт.
Условия:
Заработная плата:
21105 — 21105 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:Срочный
на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 08.04.2016 г. по 29.04.2016 г.
Лицо для получения дополнительных справок: Побойкина Анна Джановна ,
uhfseras2010@yandex.ru
8(495)280-74-79
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность: Старший научный сотрудник
Отрасль науки: Физика конденсированного состояния
Тематика исследований:Исследование электронного транспорта в гетероструктурах с квантовыми ямами InAlAs/InGaAs на основе подложек InP, моделирование зонного профиля гетероструктур (зона проводимости, валентная зона, огибающие волновых функций электронов и дырок в квантовой яме и т.д.), эффект Холла, спектроскопия фотолюминесценции.
Регион: Москва
Населенный пункт:117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии: Задачи: Расчет зонных структур гетероструктур с различной конструкцией квантовой ямы (одиночная и составная яма), определение концентрации и подвижности носителей в квантовой яме методом эффекта Холла при различной температуре измерения (77-300 К), эпитаксиальный рост гетероструктур
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— кандидат физико-математических наук: 1 шт
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 1 шт.
— участие в качестве ответственного или основного исполнителя работ в грантах: 1 шт.
Условия:
Заработная плата:
21105 — 21105 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:Срочный
на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 08.04.2016 г. по 29.04.2016 г.
Лицо для получения дополнительных справок: Побойкина Анна Джановна , uhfseras2010@yandex.ru
8(495)280-74-79
12 апреля 2016 года в Краснов зале РАН состоится научная сессия «Электроника России: новые вызовы». Общественное обсуждение в рамках серии круглых столов «Судьба электроники России» приурочено к двадцатилетнему юбилею журнала. «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес».
На сессии представит доклад, научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, Мальцев П.П.
Программа сессии