Мальцева Петра Павловича включили в Биографическую энциклопедию успешных людей России

Заслуженного деятеля науки РФ Мальцева Петра Павловича включили в Биографическую энциклопедию успешных людей России «WHO IS WHO В РОССИИ» (2013 г., VII издание, том 2)

    

Сертификат

В декабре 2015 года в рамках инспекционного контроля ИСВЧПЭ РАН подтвердил соответствие системы менеджмента качества требованиям ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012. Сертификат, распространяющийся на исследование, разработку и реализацию продукции классов ОКП 6331003, 6340128, 6341006, 6345000, действует до 28.01.2017

Обновления на сайте (200116-190216)

  • в раздел «О нас пишут» добавлена информации о включении Мальцева П.П. в энциклопедию «WHO IS WHO В РОССИИ»
  • в «Новости» добавлена информация о подтверждении соответствия системы менеджмента качества в ИСВЧПЭ РАН
  • в раздел Конференции добавлена информация о Международном консорциуме по терагерцовой фотонике и оптоэлектронике
  • в раздел Аспирантура добавлено Свидетельство о государственной аккредитации
  • в раздел «Аспирантура» добавлена информация о полученном Свидетельстве о государственной аккредитации

Решение конкурсной комиссии

Решением Конкурсной комиссии № 13 (Ученого совета) от 30 декабря 2015 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Крапухина Дмитрия Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Кагирину Ксению Алексеевну;
— инженер-исследователь лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе – Рубана Олега Альбертовича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Иванову Наталью Евгеньевну;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Клековкина Алексея Владимировича.

Решение Конкурсной комиссии №13

Решением Конкурсной комиссии № 13 (Ученого совета) от 30 декабря 2015 года избрать:
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Глинского Игоря Андреевича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Зенченко Николая Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах – Крапухина Дмитрия Владимировича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 – Кагирину Ксению Алексеевну;
— инженер-исследователь лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе – Рубана Олега Альбертовича;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Иванову Наталью Евгеньевну;
— на должность инженера-исследователя лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — Клековкина Алексея Владимировича.