VI International Conference

Ученый секретарь ИСВЧПЭ РАН, Р.А. Хабибуллин, принял участие в VI International Conference «Frontiers of nonlinear physics» с докладом «Design and fabrication of terahertz sources based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures»

5-й научно-практический семинар пользователей оборудования Raith

10 июня 2016 г. в ИСВЧПЭ РАН состоялся 5-й научно-практический семинар пользователей оборудования Raith «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith: от идеи до реализации»

С докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН — Мальцев П.П.

20.06.16
В честь 20-летия журнала «Электроника: Наука. Технология. Бизнес» в Российской академии науки состоялась научная сессия, совместно с Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН, на которой с докладом выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН, член редакционного совета журнала «Электроника: НТБ» Мальцев П.П. Также состоялся круглый стол

Постановление Правительства Российской Федерации

На сайте Высшей аттестационной комиссии добавлено Постановление Правительства Российской Федерации от 24 сентября 2013 г. № 842 «О порядке присуждения ученых степеней» с изменениями постановления Правительства Российской Федерации от 21 апреля 2016 г. № 335 «О внесении изменений в Положение о присуждении ученых степеней»

Семинар пользователей оборудования Raith

24.05.16
Программа 5-го научно-практического семинар пользователей оборудования Raith «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации», который состоится в ИСВЧПЭ РАН 10 июня 2016 года

 

Научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН

18 мая в Зеленом зале Президиума Российской академии состоялась научная сессия Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН «Научные основы создания беспроводных телекоммуникационных сетей следующих поколений». Программа сессии

Ученый совет

Решением конкурсной комиссии (Ученого совета) ИСВЧПЭ РАН от 05.05.2016 г. Клочков Алексей Николаевич избран на должность старшего научного сотрудника лаборатории исследований процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5. (Выписка из протокола от 05.05.2016 г. № 5)