Конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей (приказ № 240в-ОД от 26 октября 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 3 вакансии;
Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 — 2 вакансии;
Лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — 2 вакансии;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79

Конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА»

С 7 по 9 октября 2015 года в ОАО «НПП «Пульсар» состоялась конференция «Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА». На конференции выступил сотрудник ИСВЧПЭ РАН, зав. лаборатории, к.т.н. Гнатюк Д.Л.

Международная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение»

C 28 сентября по 03 октября 2015 г. в г. Алушта (Крым) прошла международная конференция «Интегральные схемы и микроэлектронные модули – проектирование, производство и применение», в которой приняли участие с докладами сотрудники ИСВЧПЭ РАН — Кагирина К.А. и к.т.н. Матвеенко О.С.

XIV Международная научно-техническая конференция

C 27 сентября по 03 октября 2015 года в г. Сочи состоялась XIV Международная научно-техническая конференция «Электронная компонентная база космических систем», в которой принял участие с докладом Главный Научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, д.т.н. Гамкрелидзе С.А.