Общее собрание Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН

7 декабря 2015 года состоялось Общее собрание Отделения нанотехнологий и информационных технологий Российской академии наук. Повестка дня

8 декабря 2015 года в Большом зале РАН состоялось Общее собрание членов Российской академии наук. Программа собрания

Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения»

С 1 по 5 декабря 2015 года в МГТУ МИРЭА проходила Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (INTERMATIC — 2015). В конференции приняли участие с докладами сотрудники ИСВЧПЭ РАН (Иванова Н.Е., Трофимов А.А., Арутюнян С.С.)

Совещание руководителя ФАНО России М.М. Котюкова

9 декабря 2015 года в 14-30 в Большом зале РАН (г. Москва, Ленинский пр-т, д. 32а) состоится рабочее совещание руководителя ФАНО России М.М. Котюкова с руководителями подведомственных организаций, расположенных в Центральном территориальном округе, по итогам деятельности ФАНО России в 2015 году и задачам на 2016 год.

Международная научно-техническая конференция «Электроника 2015»

19-20 ноября 2015 года в НИУ «МИЭТ» (г. Зеленоград) состоялась Международная научно-техническая конференция «Электроника 2015». От ИСВЧПЭ РАН в конференции приняли участие с докладом врио директора ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. и главный конструктор — заместитель директора по НИОКР Фёдоров Ю.В.

Конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должностей инженеров-исследователей (приказ № 240в-ОД от 26 октября 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 3 вакансии;
Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5 — 2 вакансии;
Лаборатории исследований и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе — 2 вакансии;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79