Первое заседание секции по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве ЭКБ

29 октября 2015 года состоялось первое заседание секции по участию малого и среднего бизнеса в разработке и производстве ЭКБ, на котором выступил научный руководитель ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П.

Заседание Высшей аттестационной комиссии

23 декабря 2015 года прошло заседание Высшей аттестационной комиссии при Министерстве образования и науки Российской Федерации, в котором принял участие врио директора ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. Тема заседания — «Об актуальных задачах совершенствования системы аттестации научных кадров высшей квалификации»

Договор о создании Международного консорциума по терагерцовой фотонике

16-17 декабря 2015 года в МГУ им. М.В. Ломоносова был подписан договор о создании Международного консорциума по терагерцовой фотонике и оптоэлектронике и вступлении ИСВЧПЭ РАН в данный Консорциум.
В средствах научной информации уже появляются статьи с информацией о созданном Консорциуме, целях и задачах его работы.

Представляем ссылки для ознакомления:

Договор о создании Международного консорциума

16-17 декабря 2015 года в МГУ им. М.В. Ломоносова был подписан договор о создании Международного консорциума по терагерцовой фотонике и оптоэлектронике и вступлении ИСВЧПЭ РАН в данный Консорциум.

В средствах научной информации уже появляются статьи с информацией о созданном Консорциуме, целях и задачах его работы.

«Международный консорциум по терагерцовой фотонике и оптоэлектронике»

16-17 декабря 2015 года МГУ им. М.В. Ломоносова состоялась рабочая встреча «Международный консорциум по терагерцовой фотонике и оптоэлектронике», в которой приняли участие сотрудники ИСВЧПЭ РАН — чл.-корр. РАН Рыжий В.И., Гамкрелидзе С.А., Пономарев Д.С., Хабибуллин Р.А.

Поздравляем!

Постановлением Президиума Российской академии наук от 17 ноября 2015 года №248 Мальцеву Петру Павловичу была присуждена премия А.А. Расплетина 2015 года за серию работ «Теоретические и практические основы создания монолитных интегральных схем со встроенными антеннами для миллиметрового диапазона длин волн». Письмо ОНИТ РАН

Конкурс на замещение должности инженера-исследователя

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 281а-ОД от 14 декабря 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79.

ФАНО, конкурс

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение должности инженера-исследователя (приказ № 281а-ОД от 14 декабря 2015 г.):
Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах — 1 вакансия;
С победителями конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте ИСВЧПЭ РАН.
Телефоны для справок: 8 (495) 280-74-79

ВУЗПРОМЭКСПО-2015

2-4 декабря 2015 года в Технополисе «Москва» прошла выставка «ВУЗПРОМЭКСПО-2015. От идеи к реализации».
В выставке приняли участие сотрудники ИСВЧПЭ РАН: Лисицкий А.П., Глинский И.А., Карманов С.Ю., Клочков А.Н., Путинцев Б.Г., Михалев А.О., Зенченко Н.В.
Они представили стендовые доклады по Соглашениям о предоставлении субсидий с Минобранауки России.
Врио директора ИСВЧПЭ РАН Мальцев П.П. представил доклады по двум Соглашениям о предоставлении субсидий с Минобранауки России и принял участие в Круглом столе на тему «Индустриальное партнерство: механизмы интеграции и исследовательская инфраструктура». Диплом участника «ВУЗПРОМЭКСПО-2015»