Вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России

7 июня 2013 года в Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ РАН) в Москве состоялась вторая встреча пользователей оборудования Raith на территории России (Фотоотчет)
http://optec.zeiss.ru

Общее собрание Российской академии наук

В соответствии с постановлением Президиума РАН от 22 января 2013 г. № 16 «Об утверждении программы работы Общего собрания Российской академии наук» с 28 мая по 1 июня 2013 г. состоялось Общее собрание Российской академии наук.
Также 27 мая и 30 мая 2013 г. были проведены Общие собрания ОНИТ РАН.

Повестка дня Общего собрания РАН
Повестка дня Общего собрания ОНИТ РАН

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность «физика конденсированного состояния вещества», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени -1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес:http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 31 мая 2013 г. по 31 июля 2013 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт

С 13-16 мая 2013 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук была организована поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en). В ходе визита сотрудниками ИСВЧПЭ РАН был продемонстрирован научно-технический потенциал Института технической физики и материаловедения – чистые помещения с классом чистоты ISO 6 и 8, участок фотолитографии, учебные и научные лаборатории сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскоп, установку оже-спектроскопии, измерительные лаборатории и др.
В свою очередь, сотрудники ИСВЧПЭ РАН к.ф.-м.н. Климов Е.А. и к.т.н. Гнатюк Д.Л. подготовили доклады для венгерской стороны о научных исследованиях в области полупроводниковых наногетероструктур типа А3В5, проводимых в ИСВЧПЭ РАН.

Климов Е.А. Презентация .pdf
Гнатюк Д.Л. Презентация .ppt

Научная сессия Научного совета ОНИТ РАН

24 мая 2013 г. в ФТИАН состоялась научная сессия Научного совета ОНИТ РАН по теме «КАРБИД КРЕМНИЯ: монокристаллы, эпитаксиальные слои, кристаллическая структура, способы получения, свойства, применения»
Программа сессии