Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей

Заведующего лабораторией лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления»; наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС»; специальность «электронное машиностроение», наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика металлов» наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; наличие степени -1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «прикладные математика и физика»; наличие степени — 1 вакансия;

C победителями конкурса на должность научного сотрудника будет заключен срочный трудовой договор по соглашению сторон.
Условия конкурса определяются Положением «О порядке проведения конкурса на замещение должностей научных работников организаций, подведомственных Российской академии наук» (утверждено приказом Министерства образования и науки Российской Федерации № 145, Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации № 353, Российской академии наук № 145/353/34 от 23 мая 2007 г., см. выше).

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 24 августа 2012 г. по 24 октября 2012 г. включительно.

Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Третья международная конференция STRANN-2012

26.07.12
С 10 по 12 октября в Санкт-Петербурге состоится третья международная конференция STRANN-2012 (State-of-the-artTrendsofScientificResearchofArtificialandNaturalNanoobjects – «Приоритетные направления научных исследований нанообъектов искусственного и природного происхождения»), проводимая Санкт-Петербургским Государственным Университетом (СПбГУ, http://www.nano.spbu.ru) совместно с ОПТЭК. Подробнее, 1st announcement and Call for Paper STRANN 2012.pdf

XI Всероссийская научно-техническая конференция

ФГУП «НПП «ПУЛЬСАР» совместно с Московским НТОРЭС им. А.С.Попова организует XI Всероссийскую научно-техническую конференцию: «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА».
Конференция состоится с 17 по 19 октября 2012 года в г. Дубне.
Приглашаем сотрудников Вашего предприятия принять участие в конференции. Приглашение
Тезисы докладов, представленные в Оргкомитет до 7 сентября 2012 года, будут изданы в виде сборника материалов до начала конференции. Правила оформления тезисов, а также другая необходимая информация представлена в приложении. Более подробную информацию о конференции Вы можете получить на сайте http://www.pulsarnpp.ru.
Телефон для справок: (495) 365-04-70.
С уважением, Организационный комитет конференции

Научно-практический семинар

В рамках российско-германского года науки и в связи с 10-летием ИСВЧПЭ РАН, состоялся научно-практический семинар «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации», проводимых Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН при поддержке компании ОПТЭК.

Место проведения семинара:
Москва, Ленинский проспект, 32А, корп. Б, 2-й этаж Президентский зал здания Российской академии наук.

Программа семинара включает в себя обзорные доклады о возможностях литографического оборудования, представляемого компанией Raith, а также представление результатов использования оборудования для изготовлении различных наноструктур. Участники семинара имеют уникальную возможность посетить лабораторию Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) с 29 мая по 2 июня.
«Фотоотчет о награждении грамотами сотрудников ИСВЧПЭ РАН» 1 2 3

Научно-техническая конференция «Микроэлектроника СВЧ»

Всероссийская научно-техническая конференция «Микроэлектроника СВЧ»
В Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ) с 04.06.12 — 07.06.12 будет проводиться Всероссийская научно-техническая конференция «Микроэлектроника СВЧ».
Направления работы конференции. Физические явления в материалах СВЧ микроэлектроники. Материалы СВЧ микроэлектроники и методы их получения. Элементы, приборы и устройства СВЧ микроэлектроники. Моделирование элементов, приборов и устройств СВЧ микроэлектроники. Антенны и фазированные антенные решетки. Измерения на СВЧ. В конференции принимает участие Мальцев П.П.