Постановление Президиума РАН

«Постановление Президиума РАН №279 от 25.12.2012г.» В Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук увеличилось число основных направлений научной деятельности.

Конференция в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт

С 4-7 декабря 2012 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук состоялась конференция в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en)

Поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт

С 4-7 декабря 2012 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук была организована поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en). В ходе визита сотрудникам ИСВЧПЭ РАН был продемонстрирован научно-технический потенциал Института технической физики и материаловедения — чистые помещения с классом чистоты ISO 6 и 8, учебные и научные лаборатории сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, атомной-силовой микроскоп, физико-химическая лаборатория получения нано и био-частиц, измерительные лаборатории (газовые сенсоры) и др.

Поздравляем

  • Поздравляем Бунегину Софию Львовну с получением грамоты за 1 место в конкурсе дипломных работ проектов МГТУ МИРЭА 2012 года.
  • Поздравляем Лисицкого Антона Павловича с получение почетной грамоты как научный руководитель дипломного проекта, занявшего первое место в конкурсе дипломных работ МГТУ МИРЭА 2012 года.

Научно-практический семинар

В рамках российско-германского года науки и в связи с 10-летием ИСВЧПЭ РАН, состоялся научно-практический семинар «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации», проводимых Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН при поддержке компании ОПТЭК.

Место проведения семинара:
Москва, Ленинский проспект, 32А, корп. Б, 2-й этаж Президентский зал здания Российской академии наук.

Программа семинара включает в себя обзорные доклады о возможностях литографического оборудования, представляемого компанией Raith, а также представление результатов использования оборудования для изготовлении различных наноструктур.