Монолитный малошумящий усилитель

«Монолитный малошумящий усилитель x-диапазона на основе 0,15 МКМ GaAs p-HEMT технологии»
Авторы: В.Г.Мокеров, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова, Л.И.Бабак, А.А.Баров,М.В.Черкашин — Научно-производственная фирма «Микран» г. Томск, Ф.И.Шеерман — Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г. Москва, Россия.
Опубликовано в сборнике трудов 17-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2007). 10-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приводятся результаты работы по разработке и изготовлению монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии.

НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети

НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети, http://www.rusnanonet.ru

«ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений

Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru

Заседание Ученого совета

Состоялось заседание Ученого совета Учреждения Российской академии наук ИСВЧПЭ РАН, посвященного 70-летию со дня рождения организатора института члена корреспондента РАН В.Г. Мокерова На заседании выступили:
1. Вице-президент РАН, Нобелевский лауреат, академик Алферов Жорес Иванович
2. Академик Пожела Ю.К.