Постоянно действующий семинар под руководством чл.-корр. РАН д.ф.-м.н. Рыжий В.И

17 марта 2017 года в ИСВЧПЭ РАН состоится Постоянно действующий семинар под руководством чл.-корр. РАН д.ф.-м.н. Рыжий В.И «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем». Программа семинара

Внеочередное общее собрание представителей организаций, входящих в состав ТП «СВЧ технологии»

27 февраля 2017 г. в АО «Росэлектроника» в г. Москва состоялось внеочередное общее собрание представителей организаций, входящих в состав ТП «СВЧ технологии».
До конца марта 2017 г. на сайте ТП «СВЧ технологии» будут размещены:
— Утвержденный годовой отчет о деятельности ТП «СВЧ технологии» за 2016 год.
— Утвержденный план мероприятий на 2017 год.
Стоит отметить, что были утверждены изменения в «Положение об Экспертном совете»:
— п. 2.6 изложить в следующей редакции:
«Экспертиза проектов и иных материалов, представленных лицами, не являющимися участниками ТП «СВЧ технологии», может осуществляться по решению Правления ТП «СВЧ технологии».
— п. 2.7 изложить в следующей редакции:
«Направляет информацию о поддержке проектов и других материалов для размещения на официальном сайте ТП «СВЧ технологии» http://new.isvch.ru/tp/«

Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность:
Заведующий лабораторией
• Отрасль науки:
1. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
2. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
• Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs с разными кристаллографическими ориентациями для приборов СВЧ электроники (диапазон 100 – 300 ГГц). Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц)
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи:
1. Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.
2. Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
3. Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.

• Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора физико-математических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 100
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 90
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:
• Заработная плата: 32 496 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор: Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 21.02.2017 г. по13.02.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Мокеровские чтения

24 мая 2017 года в Национальном Исследовательском Ядерном Университете МИФИ (г. Москва, Каширское шоссе, дом 31) состоится 8-ая Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ- электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»,
Тематика конференции:

  1. Фундаментальные аспекты наногетероструктурной СВЧ- электроники
  2. Полупроводниковые приборы и устройства: производство, технологии и свойства
  3. Гетероструктуры и сверхрешетки, двумерные, одномерные и нульмерные структуры
  4. Структурные свойства наносистем и гетероструктур
  5. Нанометрология в электронике
  6. Функциональная электроника и оптоэлектроника
  7. Образование в сфере современной электроники

Извещение о конференции, форму анкеты участника конференции и правила оформления тезисов вы сможете найти на сайте http://www.mokerov.ru в разделе КОНФЕРЕНЦИИ — 2017.

Срок окончания регистрации участников конференции 1 марта 2017 г.

Срок подачи тезисов до 20 марта 2017 г.

С уважением Оргкомитет Конференции

По всем вопросам проведения конференции обращаться в Оргкомитет:

  • Васильевский Иван Сергеевич — тел.8-495-788-56-99, доб.81-78, E-mail: ivasilevskii@mail.ru
  • Мартиросова Галина Рафаиловна — тел.8-495-788-56-99, доб.84-53, E-mail: vgmokerov@yandex.ru;
  • Виниченко Александр Николаевич — тел.8-495-788-56-99, доб.-82-37, E-mail: vanaxel@gmail.com .

Файлы

 

IX Международная научно-техническая конференция

С 29 мая по 3 июня 2017 г. в г. Нальчик состоится IX Международная научно-техническая конференция «Микро- и нанотехнологии в электронике».
Информационным партнером конференции является журнал «Нано- и микросистемная техника» (главный редактор Мальцев П.П.).
Ссылка http://mnte.kbsu.ru/?page_id=476