Заседание конкурсной комиссии

Заседание конкурсной комиссии по замещению вакантной должности заместителя директора по научной работе (ВАКАНСИЯ ID VAC_502504) запланированное на 26 сентября 2019 г. в 11:00 переносится на 27 сентября 2019г. в 11:00 .

17-я международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям

16-18 октября 2019 в Москве, в Экспоцентре состоится 17-я международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям.
Подробнее

Для  открытия  чат-бота  выставки CHIPEXPO-2019  нужно скачать и установить  на компьютер программу  Telegram Desktop   (tsetup.1.8.8.exe).
Ссылка для скачивания

ИСВЧПЭ РАН награжден дипломом в номинации «100 лучших изобретений России-2018»

Инновация ученых Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) вошла в ТОП-100 Роспатента по итогам 2018 года. Выдающимся признано создание детектора терагерцевого излучения на нанонитях олова на подложке арсенида галлия. В номинации «100 лучших изобретений России-2018» награжден дипломом патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Авторы: Бугаев Александр Сергеевич, Ячменев Александр Эдуардович, Пономарев Дмитрий Сергеевич, Хабибуллин Рустам Анварович, Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, Мальцев Петр Павлович за разработку «Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова»
(патент Российской Федерации № 2650576)

Диплом (.pdf)
Роспатент (93 позиция)
Патент (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсами на вакантные должности ведущего научного сотрудника лаборатории № 102, (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51718), научного сотрудника лаборатории № 104 (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51710), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 05.09.2019 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— ведущий научный сотрудник лаборатории № 102 «Лаборатории исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов» — 1 вакансия – Лисицкий Антон Павлович;

— научный сотрудник лаборатории № 104 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — 1 вакансия – Зенченко Николай Владимирович;

Протокол 6
Протокол 7

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_52504

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 26 сентября 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 4 сентября 2019 года; — окончание приема: 24 октября 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность заместителя директора по научной работе.

Отрасль науки:
— Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.

— Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

— Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

— Курирование научной деятельности в Институте;

— Курирование образовательной деятельности в Институте;

— Руководство грантами РНФ, РФФИ, Президента и др.;

— Руководство НИР в рамках выполнения государственного задания Минобрнауки РФ;

— Руководство аспирантами;

— Создание источников и приемников терагерцового излучения на основе фотопроводящих материалов с новыми функциональными слоями

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— диплом доцента: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты):

Условия:

Заработная плата:
36 245,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период до 15.02.2021 г. (до окончания срока полномочий директора Института)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 04.09.2019 г. по 24.09.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсами на вакантные должности главного научного сотрудника лаборатории № 103 (конкурс на сайте www.isvch.ru  от 21.06.2019 г.), ведущего научного сотрудника лаборатории № 106, (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51706), научного сотрудника лаборатории № 103 (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51713), научного сотрудника лаборатории № 105 (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51714),  утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 28.08.2019 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

—  главный научный сотрудник  лаборатории № 103 «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» — 1 вакансия – Рыжий Виктор Иванович;

. — ведущий научный сотрудник лаборатории № 106 «Лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных  СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» — 1 вакансия – Редькин Сергей Викторович;

—  научный сотрудник  лаборатории № 103 «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» — 1 вакансия – Глинский Игорь Андреевич;

— научного сотрудника «Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений  А3В5» (лаборатория № 105) – 1 вакансия – Рубан Олег Альбертович.

 
Протокол 2
Протокол 3
Протокол 4
Протокол 5

Свидетельство об участии в юбилейной 10-й международной научно-практической конференции «Мокеровские чтения»

Организационным комитетом 10-й международной научно-практической конференции «Мокеровские чтения» выдано свидетельство заместителю директора по научной работе ФГАНУ ИСВЧПЭ имени В.Г. Мокерова РАН Пономареву Дмитрию Сергеевичу, в котором удостоверяется его участие в работе конференции с докладом «Генерация излучения терагерцевыми антеннами с высоко-аспектными плазмонными решетками»

Свидетельство (.pdf)

ВАКАНСИЯ ID VAC_51718

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51718

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов»

Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и построение НЕМТ транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе с высокой воспроизводимостью в полосе частот до 100 ГГц и выше.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Применение методов машинного проектирования НЕМТ и монолитных интегральных схем

оценка результатов интеллектуальной деятельности (патентов, публикаций) в России и за рубежом в области построения НЕМТ и монолитных интегральных схем.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты):

Условия:

Заработная плата:
26 205 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ
Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
Тематика исследований:
Моделирование тепловых процессов в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы. Моделирование устройств радио- и оптоэлектроники методом конечных элементов.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Проведение моделирования распределения температуры в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы.
Исследование влияния топологии монолитных интегральных схем на распределение температуры методом конечных элементов.
Моделирование электрофизических процессов в оптоэлектронике методом конечных элементов.
Настройка и сопровождение вычислительного оборудования.
Моделирование мемристоров.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом об окончании аспирантуры: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:7

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:8

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79