Заседание постоянно действующего семинара

13 декабря 2017 г. в ИСВЧПЭ РАН ( г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, стр. 5, 3-й этаж, комната 502) в 14: 30 состоится заседание постоянно действующего семинара «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого (ТГц) диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»

Руководитель семинара: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Тема семинара: «Преобразование лазерного излучения в ТГц в фотопроводящих материалах на основе GaAs»

Программа семинара (.doc)

Международный Форум «Технологии –ЭЛТ 2017»

C 27 ноября по 29 ноября состоялся второй международный Форум «Технологии –ЭЛТ 2017», организованный Казенным предприятием г. Москвы «Корпорацией развития Зеленограда» совместно с НИИ Молекулярной Электроники (г. Зеленоград) и Федеральным государственным бюджетным учреждением науки Институтом проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук (г. Черноголовка), а также при активном участии Первого Московского государственного медицинского университета имени И.М. Сеченова (г. Москва), на котором с докладом выступил директор ИСВЧПЭ РАН Сергей Анатольевич Гамкрелидзе.

Международная научно-техническая конференция «INTERMATIC – 2017»

С 20 – 24 ноября 2017 г. в Москве, МИРЭА, прошла Международная научно-техническая конференция «INTERMATIC – 2017». На конференции с докладами выступили сотрудники ИСВЧПЭ РАН: И.А. Глинский, С.В. Редькин, Н.Е. Иванова, Н.В. Зенченко

Поздравляем Трофимова Александра Александровича

Поздравляем Трофимова Александра Александровича!
С защитой кандидатской диссертации «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN»
По специальности «05.27.06 — Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»

Коллектив института

П.П. Мальцев принял участие в заседании Высшей аттестационной комиссии

25.10.2017 г. научный руководитель ИСВЧПЭ РАН — доктор технических наук, профессор П.П.Мальцев принял участие в заседании Высшей аттестационной комиссии при Министерстве образования и науки Российской Федерации

Повестка заседания (.pdf)

Конференция «ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. СЛОЖНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ РЭА»,

27-29 сентября 2017 г. в (г. Москва – Дубна) прошла конференция «ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. СЛОЖНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ РЭА»,в которой приняли участие директор ИСВЧПЭ РАН Сергей Анатольевич Гамкрелидзе и главный конструктор ИСВЧПЭ РАН Юрий Владимирович Федоров.
На конференции 27.09.2017 с пленарным докладом на тему «Современные направления развития нитрид-галлиевой СВЧ электроники» выступил главный конструктор ИСВЧПЭ РАН Юрий Владимирович Федоров.

Выборы РАН

Директором департамента аттестации научных и научно-педагогических работников Минобрнауки РФ назначен Пахомов Сергей Иванович

Выборы РАН

Академиком-секретарем Отделения нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ РАН) избран академик Александр Леонидович Стемпковский