Открытие памятника В.Г. Мокерову в здании ИСВЧПЭ РАН

21 января 2020 года в здании Федерального государственного автономного научного учреждения Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук открыт памятник член-корреспонденту РАН Владимиру Григорьевичу Мокерову – выдающемуся ученому, профессору, основателю и первому директору ИСВЧПЭ РАН.

В открытии памятника участвовали сотрудники института и гости, работавшие под началом В.Г.Мокерова, а также Юлия Алексеевна Мокерова. В этом году Владимиру Григорьевичу исполнилось бы 80 лет

 

Журнал «За науку» издательства МФТИ № 4 (1960) за 2019 год

В журнале «За науку»  издательства МФТИ № 4 (1960) за 2019 год вышла статья зам.директора по научной работе ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарева, где он пишет о своем пути в науке, задачах и достижениях института

Скачать (.pdf)

ВАКАНСИЯ ID VAC_58630

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_58630

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 января 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 31 декабря 2019 года; — окончание приема: 24 января 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность  заведующего «Лабораторией   исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5;                  (1 ставка)

Отрасль науки:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs, в том числе с различными кристаллографическими ориентациями, для приборов СВЧ электроники (диапазон 90 – 300 ГГц).
Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц).
Разработка и исследование технологических основ и принципов создания наногетеростуктур для полевых транзисторов на основе полупроводников A3B5 группы.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , технологических условий эпитаксиального роста и послеростового отжига на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наностурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs, а также на основе множественных квантовых ям LT-InGaAs/InAlAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Исследование влияния технологических процессов, используемых при изготовлении эпитаксиальных полупроводниковых структур, на их электрофизические свойства и характеристики в зависимости от режимов их реализации.
Исследование структурных, оптических и электрофизических свойств выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии структур.
Проведение анализа технического задания на разработку МИС СВЧ в части требований, предъявляемых к материалам и типам наногетероструктур
Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований, а также материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау)

 

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата физико-математических наук: 1 шт.

— опыт научной и организаторской работы не менее 5 лет

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 10

Условия:

Заработная плата:
30 910,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 31.12.2019 г. по 24.01.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

Заседание Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем» прошло в Зеленограде

23.12.2019 в г. Зеленограде, в АО «НИИМЭ»  прошло  заседание  Консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем»

Протокол (.pdf)

Девятая Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ»

От имени организационного комитета конференции приглашаем Вас принять участие в Девятой Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», которая состоится в Санкт- Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ) с 01 по 04 июня 2020 года

Подробнее  (.docx)

 

ВАКАНСИЯ ID VAC_58061

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_58061

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 января 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 20 декабря 2019 года; — окончание приема: 24 января 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (1 ставка)

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Тематика исследований:
Полный цикл разработки МИС СВЧ диапазона: исследования параметров HEMT транзисторов и создание их моделей, моделирование на их основе принципиальных схем и топологических проектов МИС, исследование характеристик готовых МИС.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Проведение опытно-конструкторских и научно-исследовательских работ в области разработки МИС СВЧ.
Выбор технологических и конструктивных решений для проектирования МИС СВЧ.
Измерение параметров тестовых HEMT-транзисторов..
Измерение параметров изготовленных МИС СВЧ.
Схемотехническое и электродинамическое моделирование МИС СВЧ.
Разработка топологических проектов МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов с учетом технологических маршрутов ИСВЧПЭ РАН.
Анализ измеренных характеристик МИС СВЧ.
Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований.
Подготовка материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау).

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— стаж научной работы не менее 3 лет.

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 5

Условия:

Заработная плата:
18 162,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Полный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 20.12.2019 г. по 24.01.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:

Гончар Юлия Александровна

тел.8-495-280-74-79

otdelkadrov@isvch.ru

Собрание консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем».

Приглашаем  на собрание консорциума «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», которое  состоится в г. Зеленограде в АО «НИИМЭ» 23 декабря, начало в 11.00

Подробнее (.docx)

Научный семинар Научного совета по теме «Квантовые вычисления» в ИФТТ РАН

11 декабря 2019 г., с 11:00 в ИФТТ РАН состоится научный семинар Научного совета по теме «Квантовые вычисления». Адрес: Московская обл., г. Черноголовка, ул. Академика Осипьяна, д. 2

Программа (.pdf)
Подробнее (.pdf)