ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51710

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru

Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах»

Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ
Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы
Тематика исследований:
Моделирование тепловых процессов в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы. Моделирование устройств радио- и оптоэлектроники методом конечных элементов.

Регион:
Москва

Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

Задачи:
Проведение моделирования распределения температуры в монолитных интегральных схемах, в состав которых входят HEMT-транзисторы.
Исследование влияния топологии монолитных интегральных схем на распределение температуры методом конечных элементов.
Моделирование электрофизических процессов в оптоэлектронике методом конечных элементов.
Настройка и сопровождение вычислительного оборудования.
Моделирование мемристоров.

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом об окончании аспирантуры: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:7

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:8

–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 0

Условия:

Заработная плата:
17 413 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

iuhfseras2010@yandex.ru

8(495) 280-74-79