ИСВЧПЭ РАН отметил 15-летие со дня создания!

18 апреля 2017 года состоялось торжественное собрание трудового коллектива ИСВЧПЭ РАН, посвященное 15-летию со дня создания института!

Почетные грамоты и благодарственные письма были вручены работникам ИСВЧПЭ РАН от ФАНО России, Президиума РАН, Профсоюза работников РАН, Фонда поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН В.Г.Мокерова, Совета молодых ученых РАН

 

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) был создан Постановлением Президиума РАН № 109 от 16 апреля 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны – Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела. C января 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций.
30 лет назад В.Г. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива Института: в 1983 году – в составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), а с 1989-го – в составе Центра института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. В данном научном коллективе с 1983 г. по сей день трудится заведующий лабораторией, д.ф.-м.н. Г.Б. Галиев. В 2002 году Институт стал самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В.Г. Мокеров возглавлял в 2002-2008 годах. В 2008-2009 гг. Институт возглавлял д.ф.-м.н. Ю.А. Матвеев, с 2010 по 2016 гг. директором Института был Заслуженный деятель науки Российской Федерации, д.т.н., профессор П.П. Мальцев, а с 2016 г. по н.в. директором является д.т.н., профессор С.А. Гамкрелидзе.

Деятельность Института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники, в том числе по следующим направлениям:

  • технология и физика квантоворазмерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200 – 250 ГГц и выше;
  • разработка систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями с диапазоном частот до 50 – 250 ГГц и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т.д.;
  • микро- и нанотехнологии формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
  • разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ и КВЧ электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов на нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.

Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки наногетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора – заместителя директора по НИОКР Ю.В. Федорова.

В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем», руководит им член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России.

Свое 15-летие со дня основания коллектив ИСВЧПЭ РАН встречает с оптимизмом, активно осваивая новые рубежи СВЧ электроники!

Почетная грамота ФАНО Скачать файл