Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН] был создан Постановлением Президиума РАН № 109 от 16 апреля 2002 года по инициативе члена-корреспондента РАН Владимира Григорьевича Мокерова, который и стал первым директором института. С самого начала существования института его работу поддержали ведущие ученые страны — Лауреат Нобелевской премии академик Жорес Иванович Алферов, академики Юрий Васильевич Гуляев, Александр Леонидович Асеев, Юрас Карлович Пожела. С января 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций,

30 пет назад ВТ. Мокеров начал работу по формированию научного коллектива института: в 1983 г. — Б составе отдела НИИ молекулярной электроники и завода «Микрон» (г. Зеленоград), о с 1989 г, — в составе Центра института радиотехники и электроники им, В,А. Котельникова РАН. В данном научном коллективе с 1983 г. по сей день трудится заведующий лабораторией, д-р физ.-мат. наук Г.Б. Галиев. В 2002 году ИСВЧПЭ РАН стол самостоятельной организацией, которую член-корреспондент РАН В,Г, Мокеров возглавлял в 2002-2008 годах.
В 2008-2009 гг. институт возглавлял д-р физ.-мат. наук Ю.А, Матвеев, с 2010 по 2016 гг. директором Института был заслуженный деятель науки Российской Федерации, д-р техн. наук, профессор П.П. Мальцев, а с 2016 г. по настоящее время директором является д-р техн. наук, профессор С.А. Гамкрелидзе.

Деятельность института связана с проведением фундаментальных и поисковых исследований, прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники, в том числе по следующим ноправпениям:

  • Технология и физика квантово-размерных структур, разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • Расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше;
  • Разработка систем но кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для диапазона частот до 50-250 ГГц и гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для систем беспроводной связи, бортовых радаров, радиоуправляемых взрывателей, высокочувствительных радиометров и т.д.;
  • Микро- и нонотехнологии формирования короткоканапьных гетероструктурных СВЧ приборов, создание терагерцовых устройств для частот от 300 до 900 ГГц;
  • Разработка технологий производства новых материалов и структур для СВЧ и КВЧ электроники.

ИСВЧПЭ РАН является лидером в стране в сфере разработки технологий изготовления изделий СВЧ электроники на основе нитридных гетероструктур. Развитие приборов но нитриде галлия является приоритетным направлением СВЧ электроники в России и в мире.
Создан дизайн-центр моделирования, проектирования и технологической разработки нано-гетероструктурных СВЧ транзисторов и СВЧ монолитных интегральных схем под руководством главного конструктора — заместителя директора по НИОКР Ю.В, Федорова,
В ИСВЧПЭ РАН проводится постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем», руководит им член-корреспондент РАН, д-р физ,-мат. наук В.И. Рыжий.
Результаты исследований по созданию твердотельных терагерцовых устройств признаны научным сообществом России.
Свое 1 5-летие со дня основания коллектив ИСВЧПЭ РАН встречает с оптимизмом, активно осваивая новые рубежи СВЧ электроники.
Директор ИСВЧПЭ РАН д-р техн. наук, профессор С.А. Гамкрелидзе

Итоговые публикации

  • Создание первого отечественного квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот (Алферов Ж. И., Зубов Ф. И., Цырлин Г. Э., Жуков А. Е., Щаврук Н. В., Павлов А. Ю., Пономарев Д. С., Клочков А. Н., Хабибуллин Р. А., Мальцев П. П.)
  • На пути к реализации терагерцовых лазеров на основе графеновых гетероструктур (Рыжий В. И., Рыжий М. B., Отсуджи Т.)
  • Технология изготовления и разработка монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия (Федоров Ю. В., Бугаев А. С., Павлов А. Ю., Гнатюк Д. Л., Матвеенко О. С., Павлов В. Ю., Слаповский Д. Н., Томош К. Н., Енюшкина Е. Н., Галиев Р. Р., Майтама М. В., Зуев А. В., Крапухин Д. В., Гамкрелидзе С. А.)
  • Разработка материалов и фотопроводящих антенн на их основе для генерации и детектирования импульсного и непрерывного терагерцового (ТГц) излучения (Бугаев А. С., Глинский И. А., Пушкарев С. С., Лаврухин Д. В., Ячменев А. Э., Хабибуллин Р. А., Пономарев Д. С.)
  • Неразрушающие методы контроля арсенидных и нитридных гетероструктур с квантовой ямой (Климов Е. А., Лаврухин Д. В., Пушкарев С. С., Рубан О. А., Алешин А. Н.)
  • Разделение полупроводниковых пластин из твердого материала на кристаллы (Щаврук Н. В., Редькин С. В., Трофимов А. А., Иванова Н. Е., Скрипниченко А. С., Кондратенко В. С., Стыран В. В.)
  • Терагерцовое излучениe эпитаксиальных низкотемпературных GaAs структур на подложках GaAs (100) и (111)А (Галиев Г. Б., Буряков А. М., Билык В. Р., Хусяинов Д. И., Мишина Е. Д., Климов Е. А., Клочков А. Н., Пушкарев С. С., Васильевский И. С., Грехов М. М., Трунькин И. Н., Васильев А. Л.)
  • Терагерцовое излучениe эпитаксиальных низкотемпературных GaAs структур на подложках GaAs (100) и (111)А (Галиев Г. Б., Буряков А. М., Билык В. Р., Хусяинов Д. И., Мишина Е. Д., Климов Е. А., Клочков А. Н., Пушкарев С. С., Васильевский И. С., Грехов М. М., Трунькин И. Н., Васильев А. Л.)
  • Изучение деформационного поля в слоях метаморфного ступенчатого буфера на основе тройных растворов InxAl1-xAs методом построения карт обратного пространства (Алёшин А. Н.)
  • Переход от сплавной к несплавной технологии омических контактов при росте диапазона рабочих частот СВЧ МИС на основе нитрида галлия (Павлов А. Ю.)
  • Апробация способа изготовления контейнеров из антистатического материала для полупроводниковых кристаллов сложной формы на основе 3D-печати (Дашков А. В., Щаврук Н. В., Щеглова Т. А., Тарасов Н. С., Мальцев П. П., Хабибуллин Р. А.)
  • Интегрированные антенны для использования в системах на кристалле (Матвеенко О. С.)

 

 
Издания: