Сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в XXI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника»

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН приняли участие в XXI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника».
Ученый секретарь ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин выступил с приглашенным докладом «Разработка и изготовление источников терагерцового излучения на основе многослойных GaAs/AlGaAs гетероструктур» на Секции Полупроводниковые наноструктуры.
Научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. А.Э. Ячменев принял участие в Стендовой секции с докладом «Влияние фотоэффекта Дембера на генерацию ТГц излучения в InxGa1-xAs (x>0.3) с метаморфным буферным слоем».