Участие в Международном форуме «Микроэлектроника 2019»

С 30 сентября по 5 октября 2019 г. в г. Алушта, Республика Крым состоялся Международный форум «Микроэлектроника 2019», в котором приняла участие ведущий специалист ИСВЧПЭ РАН Иванова Н.Е., выступив с докладом «Малошумящий усилитель мощности на 1-20 ГГц». По итогам выступлений Иванова Н.Е стала лауреатом конкурса «Фестиваль Инноваций » в рамках форума «Микроэлектроника 2019».