Ученые из Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова РАН (Москва), Института общей физики имени А. М. Прохорова РАН (Москва) и МГТУ имени Н. Э. Баумана (Москва) повысили чувствительность детектора, искусственно деформировав его структуру.

Подробности:  https://www.kommersant.ru/doc/4848196