Монолитный малошумящий усилитель

«Монолитный малошумящий усилитель x-диапазона на основе 0,15 МКМ GaAs p-HEMT технологии»
Авторы: В.Г.Мокеров, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова, Л.И.Бабак, А.А.Баров,М.В.Черкашин — Научно-производственная фирма «Микран» г. Томск, Ф.И.Шеерман — Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г. Москва, Россия.
Опубликовано в сборнике трудов 17-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2007). 10-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приводятся результаты работы по разработке и изготовлению монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии.