Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5» (лаборатория № 101) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании:
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты).

Главный научный сотрудник института: «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5» (лаборатория № 105) — наличие степени доктора наук; или наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

С победителем конкурса будет заключен эффективный контракт сроком на 5 лет.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте www.isvch.ru
Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.
Стимулирующие выплаты: в соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 08 ноября 2017 г. по 08 января 2018 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Никитина Елена Владимировна.