Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.

Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика атомного ядра и частиц»; — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 12 июля 2013 г. по 12 сентября 2013 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79