Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности

Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Проектирование и моделирование усилителей монолитных интегральных схем на основе нитрида галлия и антенн на кристалле для частот до 67 ГГц
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
Задачи:
Разработка принципиальных схем малошумящих усилителей и усилителей мощности различных частотных диапазонов, создание моделей транзисторов на нитриде галлия, проектирование антенн, проведение измерений изготовленных монолитных интегральных схем, транзисторов и антенн, сбор и анализ информации об уровне научно-технического развития, выявление охраноспособных объектов, осуществление процедур оформления документов, подачи заявок на регистрируемые РИД
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— справка об окончании магистратуры: 1 шт.
— опыт научной работы по тематике исследований: 3 года.
— свидетельство о профессиональной переподготовке по программам патентоведения: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 1 шт.
— участие в качестве ответственного или основного исполнителя работ в НИОКР: 5 шт.
— наличие изобретений: 1 шт.
— наличие статей за последние 5 лет: 5 шт.

Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79