ИСВЧПЭ РАН
  • Все новости
  • Институт
    • ТГц семинар
      • Архив семинаров
    • Ученый совет
    • Подразделения
    • Научные сотрудники
    • Совет молодых ученых
    • Аспирантура
    • О нас пишут
    • Конференции
    • Международное сотрудничество
      • Семинар Raith & ИСВЧПЭ РАН
        • Архив семинаров Raith
    • Монографии
    • Лаборатории
    • Оборудование
    • Конкурсы
    • Документы
      • Учредительные документы
      • Защита персональных данных
      • Охрана труда
  • Достижения/ Разработки
    • Научные гранты
    • Работы по заказу Минобрнауки России
    • Разработки
      • Технологическая платформа «СВЧ-технологии»
      • Монолитные интегральные схемы СВЧ и КВЧ диапазонов
      • Основные публикации по освоению миллиметрового диапазона
      • СВЧ и КВЧ системы на кристалле
      • Фотопроводящие материалы и интегральные антенны на их основе для терагерцового диапазона частот
      • Терагерцевые квантово-каскадные лазеры
      • СВЧ оптоэлектроника
      • Алмаз
      • Графен
      • Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • Технологическая платформа «СВЧ технологии»
    • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Ссылки
  • Веб-почта
  • Контакты
  • Все новости
  • Институт
    • - ТГц семинар
      • - - Архив семинаров
    • - Ученый совет
    • - Подразделения
    • - Научные сотрудники
    • - Совет молодых ученых
    • - Аспирантура
    • - О нас пишут
    • - Конференции
    • - Международное сотрудничество
      • - - Семинар Raith & ИСВЧПЭ РАН
        • - - - Архив семинаров Raith
    • - Монографии
    • - Лаборатории
    • - Оборудование
    • - Конкурсы
    • - Документы
      • - - Учредительные документы
      • - - Защита персональных данных
      • - - Охрана труда
  • Достижения/ Разработки
    • - Научные гранты
    • - Работы по заказу Минобрнауки России
    • - Разработки
      • - - Технологическая платформа «СВЧ-технологии»
      • - - Монолитные интегральные схемы СВЧ и КВЧ диапазонов
      • - - Основные публикации по освоению миллиметрового диапазона
      • - - СВЧ и КВЧ системы на кристалле
      • - - Фотопроводящие материалы и интегральные антенны на их основе для терагерцового диапазона частот
      • - - Терагерцевые квантово-каскадные лазеры
      • - - СВЧ оптоэлектроника
      • - - Алмаз
      • - - Графен
      • - - Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • - Технологическая платформа «СВЧ технологии»
    • - Результаты интеллектуальной деятельности
  • Ссылки
  • Веб-почта
  • Контакты
Home / 2014г • Все новости / Устав ИСВЧПЭ РАН …

Устав ИСВЧПЭ РАН

Устав ИСВЧПЭ РАН

15.12.14admin2014г, Все новости

ФАНО России Приказом от 12.12.2014 №1280 утвердило новый Устав ИСВЧПЭ РАН

Previous
Next

Контакты

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники  имени  В.Г. Мокерова Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

Адрес: 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр.5

Email: isvch@isvch.ru

Контакты:
8 (495) 280-75-48 Гамкрелидзе Сергей Анатольевич  (Директор)
8 (499) 123-14-20 Мальцев Петр Павлович (Научный руководитель)
8 (499) 123-44-64 Пономарев Дмитрий Сергеевич (Заместитель директора по научной работе)
8 (495) 280-74-79 Гражуль Константин Иванович  (Заместитель директора по общим вопросам)
8 (499) 123-44-64 (тел./факс общий) Хабибуллин Рустам Анварович (Ученый секретарь)

8 495 280-74-79 Отдел кадров
8 499 127-33-48 Бухгалтерия
8 495 280-74-79 Отдел закупок

Отделение нанотехнологий и информационных
технологий РАН

Developed by Think Up Themes Ltd. Powered by Wordpress.