Объявление о проведении конкурса

Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)

https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_53954

Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 30 октября 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)

Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 4 октября 2019 года; — окончание приема: 25 октября 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru

Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (1,25 ставки)

  • Отрасль науки:
  1. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
  • Тематика исследований:

Полный цикл разработки МИС СВЧ диапазона: исследования параметров HEMT транзисторов и создание их моделей, моделирование на их основе принципиальных схем и топологических проектов МИС,  исследование характеристик готовых МИС.

Регион: Москва

Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:

    • Проведение опытно-конструкторских и научно-исследовательских работ в области разработки МИС СВЧ.
    • Выбор технологических и конструктивных решений для проектирования МИС СВЧ.
    • Измерение параметров тестовых HEMT-транзисторов, разработка их моделей.
    • Схемотехническое и электродинамическое моделирование МИС СВЧ.
    • Разработка топологических проектов МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов с учетом технологических маршрутов ИСВЧПЭ РАН.
    • Анализ измеренных характеристик МИС СВЧ.
    • Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований.
    • Подготовка материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау).

Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.

— диплом кандидата наук: 1 шт.

— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5

–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 7

Условия:

Заработная плата:
26 205,00 рублей/месяц

Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН

Трудовой договор:
Срочный

— на период 5 (годы и месяцы)

Социальный пакет:
Да

Тип занятости:
Полная занятость

Режим работы:
Неполный день

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Срок подачи заявок с 04.10.2019 г. по 25.10.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна

gonchar@isvch.ru

8(495) 280-74-79

С уважением,
Гончар Юлия Александровна