ИСВЧПЭ РАН
  • Все новости
  • Институт
    • ТГц семинар
      • Архив семинаров
    • Ученый совет
    • Подразделения
    • Научные сотрудники
    • Совет молодых ученых
    • Аспирантура
    • О нас пишут
    • Конференции
    • Международное сотрудничество
      • Семинар Raith & ИСВЧПЭ РАН
        • Архив семинаров Raith
    • Монографии
    • Лаборатории
    • Оборудование
    • Конкурсы
    • Документы
      • Учредительные документы
      • Защита персональных данных
      • Охрана труда
  • Достижения/ Разработки
    • Научные гранты
    • Работы по заказу Минобрнауки России
    • Разработки
      • Технологическая платформа «СВЧ-технологии»
      • Монолитные интегральные схемы СВЧ и КВЧ диапазонов
      • Основные публикации по освоению миллиметрового диапазона
      • СВЧ и КВЧ системы на кристалле
      • Фотопроводящие материалы и интегральные антенны на их основе для терагерцового диапазона частот
      • Терагерцевые квантово-каскадные лазеры
      • СВЧ оптоэлектроника
      • Алмаз
      • Графен
      • Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • Технологическая платформа «СВЧ технологии»
    • Результаты интеллектуальной деятельности
  • Ссылки
  • Веб-почта
  • Контакты
  • Все новости
  • Институт
    • - ТГц семинар
      • - - Архив семинаров
    • - Ученый совет
    • - Подразделения
    • - Научные сотрудники
    • - Совет молодых ученых
    • - Аспирантура
    • - О нас пишут
    • - Конференции
    • - Международное сотрудничество
      • - - Семинар Raith & ИСВЧПЭ РАН
        • - - - Архив семинаров Raith
    • - Монографии
    • - Лаборатории
    • - Оборудование
    • - Конкурсы
    • - Документы
      • - - Учредительные документы
      • - - Защита персональных данных
      • - - Охрана труда
  • Достижения/ Разработки
    • - Научные гранты
    • - Работы по заказу Минобрнауки России
    • - Разработки
      • - - Технологическая платформа «СВЧ-технологии»
      • - - Монолитные интегральные схемы СВЧ и КВЧ диапазонов
      • - - Основные публикации по освоению миллиметрового диапазона
      • - - СВЧ и КВЧ системы на кристалле
      • - - Фотопроводящие материалы и интегральные антенны на их основе для терагерцового диапазона частот
      • - - Терагерцевые квантово-каскадные лазеры
      • - - СВЧ оптоэлектроника
      • - - Алмаз
      • - - Графен
      • - - Молекулярно-лучевая эпитаксия
    • - Технологическая платформа «СВЧ технологии»
    • - Результаты интеллектуальной деятельности
  • Ссылки
  • Веб-почта
  • Контакты
Home / 2012г • Все новости / …

Московская правда

Московская правда

03.07.12admin2012г, Все новостиО нас пишут

03.07.12г
«Московская правда» от 26 июня 2012г. Записала Регина Бударина

Previous
Next

Контакты

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники  имени  В.Г. Мокерова Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)

Адрес: 117105, Москва, Нагорный проезд, 7, стр.5

Email: isvch@isvch.ru

Контакты:
8 (495) 280-75-48 Гамкрелидзе Сергей Анатольевич  (Директор)
8 (499) 123-14-20 Мальцев Петр Павлович (Научный руководитель)
8 (499) 123-44-64 Пономарев Дмитрий Сергеевич (Заместитель директора по научной работе)
8 (495) 280-74-79 Гражуль Константин Иванович  (Заместитель директора по общим вопросам)
8 (499) 123-44-64 (тел./факс общий) Хабибуллин Рустам Анварович (Ученый секретарь)

8 495 280-74-79 Отдел кадров
8 499 127-33-48 Бухгалтерия
8 495 280-74-79 Отдел закупок

Отделение нанотехнологий и информационных
технологий РАН

© ИСВЧПЭ РАН, 2013-2018