В соответствии с «Протоколом совместного совещания РАН и РАСУ» от 21.09.2001 г. принято решение о формировании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), который создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109», и расширен 25.12.2012 г. «Постановление Президиума РАН №279», а с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.

С 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН являлось Федеральное агентство научных организаций(ФАНО России).

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 изменено название на Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук.

С 27.06.2018 г. учредителем ИСВЧПЭ РАН является Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (МИНОБРНАУКИ России) — распоряжение Правительства Российской Федерации от 27.06.2018 г.
№ 1293-р
   Приказом МИНОБРНАУКИ России от  06.08.2018  № 582  утвержден  новый   Устав Института.

Главной целью Института является проведение фундаментальных и прикладных научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.

Основными направлениями научных исследований Института в соответствие с «Постановление Президиума РАН
№ 109
» от 16 апреля 2002 г. являются:

  • электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • технология и физика квантово-размерных гетероструктур
  • микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ-приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше
  • разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.
    И расширены направления исследований в соответствие «Постановление Президиума РАН №279»
    от 25.12.2012 г.»
  • исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц
  • расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц
  • создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. — за разработку интегральных схем на арсениде галлия). «Премии Ленинского Комсомола» (1978 г. – за новые физические принципы создания твердотельных функциональных устройств), «Премии имени А.А.Расплетина» (2015 г. – за серию работ «теоретические и практические основы создания монолитных интегральных схем со встроенными антеннами для миллиметрового диапазона длин волн)» , «Медали Российской академии наук с премией для молодых ученых России» ( 2018 г. – за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот)»

В результате многолетних работ в ИСВЧПЭ РАН созданы:

  • Физические основы и технология молекулярно – лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ- приборов, включая HEMT, PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP.
  • Разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP , а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами диапазонов 5-18 ГГц и 30-40 ГГц).
  • Разработана технология изготовления транзисторов и МИС, базирующаяся на современной электронно-лучевой литографии (нанолитограф RAITH150-TWO, VOYAGER).Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм и рабочими частотами до 100 ГГц на подложках GaAs и до 320 ГГц – на подложках InP.
  • Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН в ближайшей перспективе будет связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56-64 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц, 94-96 ГГц и 115-130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур A3В5, а также продолжатся и исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200 -300 ГГц и выше).

Публикационная активность научных работников ИСВЧПЭ РАН

Год

WoS

Scopus

Ядро РИНЦ

2013

10

10

9

2014

17

16

22

2015

19

24

26

2016

24

32

32

2017

30

33

44

2018

26

37

32

«О нас пишут»