Директора ИСВЧПЭ РАН

Директора ИСВЧПЭ РАН

На данной странице вы можете посмотреть информацию о директорах института

Read More

Технологическая платформа СВЧ-технологии

Технологическая платформа СВЧ-технологии

Технологическая платформа «СВЧ технологии» включена в перечень технологических платформ, утвержденный решениями Правительственной комиссией по высоким технологиям и инновациям

Read More

15-летие ИСВЧПЭ РАН

15-летие ИСВЧПЭ РАН

На данной странице вы можете посмотреть информацию об истории института, а так же итоговые публикации института

Read More

Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109», и расширен 25.12.2012 г. «Постановление Президиума РАН №279», а с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.

С 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН являлось Федеральное агентство научных организаций(ФАНО России).

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 изменено название на Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук.

С 27.06.2018 г. учредителем ИСВЧПЭ РАН является Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (МИНОБРНАУКИ России) —распоряжение Правительства Российской Федерации от 27.06.2018 г. № 1293-р   Приказом МИНОБРНАУКИ России от  06.08.2018  № 582  утвержден  новый   Устав Института.

Главной целью Института является проведение фундаментальных и прикладных научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.

Основными направлениями научных исследований Института являются:

  • электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • технология и физика квантово-размерных гетероструктур
  • микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ-приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше
  • разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.
  • исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц
  • расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц
  • создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. — за разработку интегральных схем на арсениде галлия).

В результате многолетних работ в ИСВЧПЭ РАН созданы:

  • Физические основы и технология молекулярно – лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ- приборов, включая HEMT, PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP.
  • Разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP , а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами диапазонов 5-18 ГГц и 30-40 ГГц).
  • Разработана технология изготовления транзисторов и МИС, базирующаяся на современной электронно-лучевой литографии (нанолитограф RAITH150-TWO, VOYAGER).Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм и рабочими частотами до 100 ГГц на подложках GaAs и до 320 ГГц – на подложках InP.
  • Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН в ближайшей перспективе будет связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56-64 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц, 94-96 ГГц и 115-130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур A3В5, а также продолжатся и исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200 -300 ГГц и выше).

Публикационная активность научных работников ИСВЧПЭ РАН

Год

WoS

Scopus

РИНЦ

2013

10

10

13

2014

17

16

26

2015

19

24

19

2016

24

32

32

2017

30

33

52

«О нас пишут»